ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه‌ کوانتومی

نوع مقاله: ویژه نامه

نویسندگان

1 دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی اصفهان

2 دانشگاه صنعتی اصفهان

چکیده

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل‌زنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه‌های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج نشان می‌دهند به دلیل وجود یک میدان الکتریکی طولی، چگالی محلی حالت‌ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر می‌کند. مشخصه جریان- ولتاژ دستگاه نیز نشان‌دهنده‌ وجود رفتار غیر اهمی در دستگاه دیود تونل زنی تشدیدی است. همچنین با وارد نمودن نقاط کوانتومی، مقاومت دیفرانسیلی منفی قابل مشاهده است. این مقاومت ناشی از پدیده‌ تونل‌زنی تشدیدی است.

کلیدواژه‌ها

موضوعات


عنوان مقاله [English]

Transport in quantum dots resonant tunneling diodes

نویسنده [English]

  • Mohammadtaghi Asefpour 1
1 Dept Physics, Isfahan University of Technology
چکیده [English]

In this paper, we simulate a resonant tunneling diode (RTD). Using Green's function method for the tight-binding approximation, we calculate local density of states and current-voltage characteristic by the Green function components of the system. Results show a non-Ohmic behavior and negative differential resistance in RTD. As a result of a longitudinal electric field, the local density of states varies by changing the applied potential. Moreover, we study the effect of changing the physical parameters on the current of the device. Entering quantum dots in the middle of device causes a negative differential resistance, which is a consequence of resonant tunneling phenomenon.

کلیدواژه‌ها [English]

  • resonant tunneling diode
  • Green function
  • quantum dots
  • transport