بررسی ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فازساختاری ورتسایت

نوع مقاله: ویژه نامه

نویسندگان

1 دانشجو/دانشگاه شهید چمران

2 دانشگاه شهید چمران

3 دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده

در این مقاله ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مستقیم درنقطۀ به اندازۀ 2/2 الکترون ولت دارد که بیشترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اربیتال sاتم نیتروژن و در نوار رسانش مربوط به اربیتال های sوpاتم ایندیم است.نتایج به‌دست‌آمده ازطیف فونونی بیانگر این است که از بسامد cm-1885/209 تا cm-1112/453هیچ مد فونونی صوتی و نوری و هیچ حالتی مشاهده نمی‌شود.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

Investigation of structural , electronic and phononic properties of InN in wurtzite

نویسنده [English]

  • nadia navaser 1
1 student/shahid chamran university
چکیده [English]

In this paper the structural, electronic and phononic properties of InN in a wurtzite structure
have been studied. The calculations have been performed using a pseudoptential method in the framework of Density Functional Theory (DFT) by PWscf package with LDA, GGA and PBE0 approximations for the exchange and correlation potential terms. Calculated band gap for InN in the hexagonal phase is equal to 2.2 eV at the point. The mostly contributed in the valence band and in conduction band of the s-orbital nitrogen atom and orbital s and p indium atoms. The phonon spectrum shows a frequency gap in 209.885 to 453.112 cm-1 that in this range will have complete reflection.

کلیدواژه‌ها [English]

  • InN
  • band gap
  • phononic mode
  • Density functional theory