بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه‌ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی

نوع مقاله: مقاله پژوهشی کامل

نویسندگان

1 دانشگاه یاسوج

2 nhka'hi dhs,[

چکیده

ددر این مقاله، اثر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی بر خواص نوری نفاط کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس بررسی شده‌است. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره‌گیری از تقریب جرم مؤثر، معادله شرودینگر برای نقطه کوانتمی مخروطی- شکل همراه با لایه خیس حل شد و توابع پوش، ترازهای انرژی حالت پایه و تراز لایه خیس به دست آمدند. سپس با استفاده از توابع پوش الکترون، دوقطبی‌های گذار محاسبه شدند و وابستگی آن‌ها به میدان های الکتریکی ومغناطیسی مشخص شدند و در نهایت به بررسی خواص نوری پرداخته‌شد. با اعمال میدان‌الکتریکی و مغناطیسی در راستای رشد نقطه‌ کوانتومی محدودیت کوانتومی الکترون را می توان کنترل کرد. به علت وابستگی دوقطبی‌های گذار به حضور میدان، مقایسه نتایج نشان می‌دهد که با افزایش میدان مغناطیسی قله‌های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی بلندتر و به سمت طول‌موج‌های کوتاه‌تر می‌رود. در حالیکه با افزایش میدان الکتریکی تغییرات جزیی در جابه‌جایی قله‌های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی، به سمت طول‌موج‌های بلند‌تر قابل مشاهده است.

کلیدواژه‌ها

موضوعات


عنوان مقاله [English]

Investigation on the Optical Properties of Polarized Bound-to-Continuum Intrsubband Transition for InAs/GaAs Quantum Dots: Electric and Magnetic Field Effects

چکیده [English]

Abstract: In this paper, the impact of electric and magnetic field effects on the electronic, linear and nonlinear optical properties of bound to continuum states transitions are investigated in a system of InAs/GaAs conical shaped quantum dot. The electronic structure, containing two main states of S and wetting layer states (WL), was calculated by solving one electronic band Hamiltonian with effective-mass approximation. In order to predict the optical properties of this model, transition dipole moment (TDM) for bound-to-continuum (P-to-WL) transition were studied. The results reveal that with increasing the electric and magnetic fields strength, the absorption and refractive index coefficients’ peaks increase. The physical reasons behind these interesting phenomena were also explained based on the electronic features of the z-polarized intersubband transition.

کلیدواژه‌ها [English]

  • InAs/GaAs quantum dot
  • wetting layer
  • z-polarized transition
  • bound-to-continuum transition
  • electric and magnetic field effect

 

[1] H. Taleb, K. Abedi, S. Golmohammadi, Operation of quantum-dot semiconductor optical amplifiers under nonuniform current injection, Applied Optics50 (2011) 608-617.

[2] K. Sun, M. Vasudev, H.-S. Jung, J. Yang, A. Kar, Y. Li, et al., Applications of colloidal quantum dots, Microelectronics Journal40 (2009) 644-649.

[3] E. Rafailov, M. Cataluna, W. Sibbett, "Mode-locked quantum-dot lasers," Nature Photonics1 (2007) 395-401.

[4] E. Rafailov, P. Loza-Alvarez, W .Sibbett, G. Sokolovskii, D. Livshits, A. Zhukov, et al., Amplification of femtosecond pulses over by18 dB in a quantum-dot semiconductor optical amplifier, IEEE Photonics Technology Letters15 (2003) 1023-1025.

[5] P. Michler, A. Kiraz, C .Becher, W. Schoenfeld, P. Petroff, L. Zhang, et al., A quantum dot single-photon turnstile device, Science 290 (2000) 2282-2285.

[6] T. Akiyama, H. Kuwatsuka, T. Simoyama, Y. Nakata, K. Mukai, M. Sugawara, et al., Nonlinear gain dynamics in quantum-dot optical amplifiers and its application to optical communication devices, IEEE Journal of Quantum Electronics 37 (2001) 1059-1065.

[7] E.B. Voura, J.K. Jaiswal, H. Mattoussi, S.M. Simon, Tracking metastatic tumor cell extravasation with quantum dot nanocrystals and fluorescence emission-scanningmicroscopy, Nature Medicine 10 (2004) 993-998.

[8] I.L. Medintz, H.T. Uyeda, E.R. Goldman, H. Mattoussi, Quantum dot bioconjugates for imaging, labelling and sensing, Nature Materials 4 (2005) 435-446.

[9] W.C. Chan, S. Nie, Quantum dot bioconjugates for ultrasensitive nonisotopic detection, Science 281 (1998) 2016-2018.

[10] I.L. Medintz, H. Mattoussi, Quantum dotbased resonance energy transfer and its growing application in biology, Physical Chemistry Chemical Physics 11 (2009) 17-45.

[11] J.K. Jaiswal, H. Mattoussi, J.M. Mauro, S.M. Simon, Long-term multiple color imaging of live cells using quantum dot bioconjugates, Nature Biotechnology 21 (2003) 47-51.

[12] A. Baskaran, P. Smereka, Mechanisms of Stranski-Krastanov growth, Journal of Applied Physics 111, 044321 (2012).

[13] M. Sabaeian, M. Shahzadeh. Self-assembled strained pyramid-shaped InAs/GaAs quantum dots: The effects of wetting layer thickness on discrete and quasi-continuum levels, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 61, (2014) 62.

[14] D.R. Matthews, H.D. Summers, P.M. Smowton, & M. Hopkinson, Experimental investigation of the effect of wetting-layer states on the gain–current characteristic of quantum-dot lasers. Applied physics letters, 81, (2002) 4904-4906.

[15] Sargent, E. H. (2012). “Colloidal quantum dot solar cells,” Nature Photonics, 6 (3), 133-135.

[16] A. Luque, A. Martí, E. Antolín, and C. Tablero, “Intermediate bands versus levels in non-radiative recombination,” Physica B: Condensed Matter 382, 320 (2006).

[17] J. H. Marsh, D. Bhattacharyya, A. Saher Helmy, E. A. Avrutin, and A. C. Bryce. “Engineering quantum-dot lasers,” Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 8, 154 (2000).

[18] M. Sabaeian and M. Shahzadeh, Investigation of in-plane- and z-polarized intersubband transitions in pyramid-shaped InAs/GaAs quantum dots coupled to wetting layer: size and shape matter. Journal of Applied Physics 116 (2014), 043102.

[19] R. Parvizi, "Investigation on the polarized bound-to-continuum intersub-band transitions in the mid-infrared region for InAs quantum dots." Physica B: Condensed Matter 466 (2015): 68-75.

 [20] م. صباییان، س.آ حسینی، م. شاهزاده، ا. کاظمی نژاد، بررسی اثر اندازه بر خواص گسیلندگی لیزرهای نقطه‌ی کوانتومی مخروطی شکل InAs/GaAs، پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای، 4 8 (1393) 67-55.

[20] M. Sabaeian, S.A. Hoseini, M. Shahzadeh, I. Kazeminezhad, Investigation of size effect on the emission properties of InAs/GaAs conical-shaped quantum dot lasers, Journal of Research on Many-body Systems 4 8(2015) 55-67.

[21] M. Sabaeian, A. Khaledi-Nasab, Sizedependent intersubband optical properties of dome-shaped InAs/GaAs quantum dots with wetting layer, Applied Optics 51 (2012) 4176-4185.