%0 Journal Article %T مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA %J پژوهش سیستم های بس ذره ای %I دانشگاه شهید چمران اهواز %Z 2322-231X %A دادستانی, مهرداد %A مؤمنی فیلی, راضیه %A بیرانوند, آزاده %D 2014 %\ 02/20/2014 %V 3 %N 6 %P 9-24 %! مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA %K کلکوژنیدهای چهارتایی‌ %K نظریة تابعی چگالی %K خواص الکترونی و اپتیکی %K GGA %K mBJ %R %X در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی با محاسبه قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده از تقریب فاز کاتوره‌ای (RPA) بررسی شده است. ضمن تحلیل ساختارهای اصلی در طیف‌‌های قسمت‌ حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک و اتلاف انرژی الکترون، مقادیر ثابت دی‌الکتریک استاتیک برای این ترکیبات محاسبه شده است. برجسته‌ترین ویژگی این ترکیبات، ضریب جذب بالا و طیف جذب پهن آن‌ها می‌باشد که پارامتر مناسبی جهت بکارگیری در سلول‌های خورشیدی است. در بررسی خواص الکترونی، ساختار نواری ترکیبات با استفاده از سه تقریب PBE-GGA، EV-GGA و mBJ-GGA محاسبه و تاثیر تابعی تبادلی-همبستگی بر روی گاف این ترکیبات بررسی شده است. در مقایسه با GGA، انرژی گاف از روش mBJ-GGA توافق بهتری با نتایج تجربی موجود ‌‌دارد. %U https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10895_3ecf9019075c11eb14f64434278a0b33.pdf