%0 Journal Article %T استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک %J پژوهش سیستم های بس ذره ای %I دانشگاه شهید چمران اهواز %Z 2322-231X %A انصاری پور, قاسم %A شایقی, بهاره %D 2016 %\ 06/21/2016 %V 6 %N 11 %P 1-6 %! استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک %K استتارکوآنتومی %K گاز الکترونی %K نانوسیم %K تابع دی الکتریک %R 10.22055/jrmbs.2016.12083 %X در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی‌الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی‌الکتریک نیم‌رسانا) قدرت تابع دی‌الکتریک افزایش می‌یابد. همچنین رفتار تابع دی‌الکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی‌الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گسترة دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده‌ایم. %U https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083_b3dec056d891671218325255c9939c4e.pdf