%0 Journal Article %T اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر %J پژوهش سیستم های بس ذره ای %I دانشگاه شهید چمران اهواز %Z 2322-231X %A کشاورز صفری, ابراهیم %A بابایی پور, منوچهر %A شکری, علی اصغر %D 2016 %\ 11/21/2016 %V 6 %N ویژه نامه شماره 2 %P 57-63 %! اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر %K قطبیدگی اسپینی %K نانونوارهای گرافینی آرمچیر %K محاسبات اصول اولیه %K نظریه تابعی چگالی %K ساختار نواری %K چگالی حالت ها %R 10.22055/jrmbs.2016.12478 %X گرافین کامل و دست‌ نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان‌ یافته با هیدروژن در غیاب نقص‌های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی‌جای‌ها، خواص مغناطیسی را به‌شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل‌ توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی‌جای‌ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوارهای گرافینی آرمچیر یک‌لایه و دولایه بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهند که مقادیر گشتاورهای مغناطیسی به تعداد و آرایش تهی‌جای‌ها، فاصله آن‌ها از یکدیگر و از لبه‌های نانونوار بستگی دارد. %U https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12478_5add8dc6437f9a7fd0ed8f7a50b50ef2.pdf