ORIGINAL_ARTICLE
شبیهسازی رشد لایههای نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی
در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیهسازی رشد لایههای نازک در حضور دو نوع ذره فعال (A) و ناخالصی(C) میپردازیم و نمای مقیاسی رشد و نمای مقیاسی زبری را بهدست میآوریم و آنها را با کلاس جهانی ارائه شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (KPZ) مقایسه میکنیم. نتایج بهدستآمده وجود یک احتمال بحرانی را نشان میدهند، بهگونهای که بهازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جهانی KPZ قرار میگیرد، درحالیکه بهازای مقادیر بزرگتر از مدل مطالعه شده در این مقاله از کلاس جهانی KPZ تبعیت نمیکند.
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10711_eb3606aecd6662455d0b66c1884260f7.pdf
2013-06-22
1
8
رشد لایههای نازک
انباشت بالستیک
نماهای مقیاسی
کلاس جهانی
حمیدرضا
امامی پور
1
عضو هیأت علمی گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ایلام، ایلام، ایران
LEAD_AUTHOR
محمدجواد
نیک نژاد
2
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ایلام، ایلام، ایران
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
مطالعه خواص مقاومتی پلیمر اپکسی تقویت شده با نانو ذرات دیاکسیدتیتانیوم بوسیلهی میکروسکوپهای نیروی اتمی و الکترونی روبشی
در این تحقیق نانوکامپوزیت¬های اپکسی/دی¬اکسیدتیتانیوم با درصدهای وزنی متفاوت از یک تا ده درصد نانو ذرات تهیه شدند. خواص این نانو کامپوزیت¬ها بوسیله¬ی دستگاه¬های تبدیل فوریه¬ی فروسرخ، پراش اشعه¬ی X، سختی سنجی و میکروسکوپ¬های نیروی اتمی و الکترونی روبشی بررسی شدند. وارد کردن نانوذرات به درون ماتریس پلیمری خواص پلیمر را به¬صورت چشمگیری بهبود می¬بخشد. افزودن درصد کمی نانوذرات دی¬اکسیدتیتانیوم به پلیمر، مانع از اکسید شدن اپکسی شده و مقاومت نمونه¬ها را در مفابل اسید افزایش می-دهد. همچنین حضور نانوذرات، مقاومت اپکسی را در برابر محیط خورنده به¬صورت محسوسی افزایش داده، به¬طوریکه بهبود قابل قبولی در مقاومت خوردگی نمونه حاوی پنج در صد نانوذره رویت شد.
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10712_c0b11aece9711f27f3139c0c89ce858b.pdf
2013-06-22
9
15
نانوکامپوزیت
میکروسکوپ نیروی اتمی
پلیمر
اپکسی
دیاکسیدتیتانیوم
سختی سطح
خوردگی
میکروسکوپ الکترونی روبشب
رقیه
پرویزی
parvizi1360@gmail.com
1
دانشگاه یاسوج
LEAD_AUTHOR
سعید
آزاد
saeedazad2010@yahoo.com
2
دانشجوی دکتری دانشگاه یاسوج
AUTHOR
بابک
ژاله
jaleh@basu.ac.ir
3
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بوعلی سینا، همدان
AUTHOR
مهدی
فرشچی تبریزی
4
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بوعلی سینا، همدان
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی و مقایسهی دینامیک درهمتنیدگی حالت W در چهار هامیلتونی مختلف، در حضور میدان مغناطیسی و اندرکنش DM
در این پژوهش تحول زمانی یک حالت W را تحت تأثیر چهار هامیلتونی هایزنبرگی مدل XX،Ising ، XXZ و XXX به صورت تحلیلی محاسبه کرده و نقش اندرکنش DM و همچنین میدان مغناطیسی را نیز بر دینامیک درهمتنیدگی بین کیوبیتهای ابتدائی و انتهائی بررسی خواهیم کرد. ملاحظه میشود که در هر چهار هامیلتونی، اعمال میدان مغناطیسی بر کل زنجیره بر درهمتنیدگی بی تأثیر است، اما اعمال میدان بر تک کیوبیتها، بردرهمتنیدگی تأثیر میگذارد و میتواند گاهی موجب تقویت درهمتنیدگی شود. همچنین اندرکنش DM تحول زمانی سیستم را دگرگون میکند و در هر چهار هامیلتونی یاد شده موجب تضعیف درهمتنیدگی میشود.
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10713_256f003bfb220bbf91ca7fb9e2089301.pdf
2013-06-22
17
27
درهمتنیدگی
حالت W
کانکرنس
میدان مغناطیسی
اندرکنش DM
مجتبی
جعفرپور
mojtaba_jafarpour@yahoo.com
1
دانشگاه شهید چمران، گروه فیزیک
LEAD_AUTHOR
سمانه
حسابی
samane_hesabi@yahoo.com
2
فیزیک، علوم، شهید چمران اهواز
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
مطالعه نظری رسانش الکترونی در یک سامانهکوانتومی با الکترودهای دو زنجیری
در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفتشدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت می¬توان ویژگی¬های الکتریکی این سامانه را کنترل نمود. همچنین معرفی ساختار نقص¬دار سبب کاهش رسانش و ایجاد شکاف انرژی می¬شود. با کنترل پارامترهایی مانند اندازه سامانه، مقدار شار مغناطیسی ورودی و بی¬نظمی به صورت تهی¬جا، گذار فاز نیم¬فلز- فلز و نیم¬رسانا- فلز در سامانه رخ می¬دهد. نتایج این تحقیق می¬تواند در طراحی ادوات نانوالکترونیک کاربردهای زیادی داشته باشد.
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10714_b55567e35000b821e9c0e5c0d04ea0e1.pdf
2013-06-22
29
39
شبکه مربعی
ترابرد کوانتومی
تابع گرین
مدل تنگابست
کامیار
قادری
kamyargh90@yahoo.com
1
دانشگاه زنجان
AUTHOR
فرهاد
خوئینی
khoeini@znu.ac.ir
2
عضو هیئت علمی گروه فیزیک دانشگاه زنجان
LEAD_AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی اثر pH در حذف یون مس از محیطهای آبی با استفاده از نانوذرات آهن اکسید و نانوکامپوزیتهای آهن اکسید/هیدروکسیآپاتیت
در این تحقیق نانوذرات مغناطیسی آهن اکسید و نانوکامپوزیتهای آهن اکسید/ هیدروکسیآپاتیت به روش همرسوبی ساخته شدند. نانوذرات ساختهشده با استفاده از دستگاههای الگوی پراش پرتوی ایکس ((XRD، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی FESEM))، اسپکتروفوتومتری تبدیل فوریهی مادون قرمز FT-IR)) و مغناطیسسنج نمونهی ارتعاشی(VSM) مشخصهیابی شدند. الگوی پراش پرتوی ایکس نمونهها ساختار هگزاگونال هیدروکسیآپاتیت و تتراگونال مگمایت را تائید کردند. نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان داد که در هر دو نمونه، نانوذرات تهیهشده تقریباً کروی شکل و اندازهی میانگین آنها برای نانوذرات آهن اکسید و آهن اکسید/ هیدروکسیآپاتیت بهترتیب nm2±16 وnm 2±19 است. منحنی پسماند نمونهها نشان داد که در نمونههای تهیهشده، نیروی وادارندگی تقریباً صفر بوده و نانوذرات خاصیت ابرپارامغناطیس از خود نشان دادند. میزان مغناطش اشباع در نانوذرات آهن اکسید emu/g 98/14 بود، در حالی که این میزان در نانوذرات آهن اکسید / هیدروکسیآپاتیت به emu/g83/2 کاهش یافت. در نهایت نانوذرات تهیه شده بهعنوان جاذب برای حذف یونهای مس از محیطهای آبی بهکارگرفته شدند و بهمنظور مقایسهی قابلیت حذف یونهای مس توسط نانوذرات آهن اکسید و نانوکامپوزیتهای آهن اکسید/ هیدروکسیآپاتیت از محیطهای آبی، بازده و ظرفیت جذب یونهای مس در pH های مختلف محلول توسط این نانوذرات تعیین گردید.
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10715_f139fd6b9ca4ead9c90d6a51f91ab09d.pdf
2013-06-22
41
49
نانوذرات
هیدروکسیآپاتیت
همرسوبی
فلزات سنگین
آهن اکسید
مس
ثنا
احمدی زاده
saana.ahmadi@yahoo.com
1
دانشجو
AUTHOR
ایرج
کاظمی نژاد
i.kazeminezhad@scu.ac.ir
2
عضو هیئت علمی گروه فیزیک دانشکده ی علوم دانشگاه شهید چمران اهواز
LEAD_AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
خواص الکترونی، ترمودینامیکی و مکانیکی انبوهه CrAs
در صنعت اسپینترونیک به ترکیبات دوتایی عناصر واسطه مانند بلور CrAs در فاز شبه پایدار بلندروی، به علت رفتار فرومغناطیسی نیم فلزی آن ها، توجه زیاد شده است. در این مقاله خواص انبوهه CrAs در دو فاز شش گوشیNiAs و بلندروی مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از بسته محاسباتی Espresso بر مبنای نظریه ی تابعی چگالی و نظریه ی تابعی چگالی اختلالی، با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. نتایج بررسی خواص الکترونی نشان داد که ساختار NiAs فلز و ساختار بلندروی نیم فلز با گاف مستقیم 1.94 الکترون-ولت است که با نتایج حاصل از کار سایرین (1/88 ، 1/85 ، 1/8 و 1/87 الکترون-ولت) تطابق دارد. با کمک معادله ی حالت مورناگون، مدول حجمی محاسبه شده است. در ادامه ثابت های کشسانی با توجه به شیب شاخه های آکوستیکی در راستاهای مورد نظر در نمودار پراکندگی فونونی محاسبه شده است. ثابت های کشسانی برای فاز بلندروی C11= 82.9 و 24.5=C44 و 60.1=C12 گیگا پاسکال و برای فاز شش-گوشیNiAs مقدارهای 139.1=C11 ،C66=83.4 ،C44=38.9 ، C33=90.1 وC12=61.1 و C13=85.4 گیگا پاسکال به دست آمد که با توجه به بررسی های انجام شده، تا کنون این ثابت های کشسانی محاسبه نشده است.
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10716_2be094cbb4070ab1c3cb277883a28d4a.pdf
2013-06-22
51
60
CrAs
خواص ترمودینامیکی
طیف فونونی
ثابتهای کشسانی
سمیه
مهدویان مهربانی
s.mahdavi13@yahoo.com
1
دانشگاه آزاد قم
LEAD_AUTHOR
حسن
تشکری
hassan.tashakori@yahoo.com
2
ریئس دانشکده علوم پایه دانشگاه آزاد اسلامی واحد قم
AUTHOR
فرامرز
کنجوری
kanjouri@khu.ac.ir
3
عضو هیئت علمی دانشگاه خوارزمی
AUTHOR