دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
5
9
2015
08
23
مطالعه وابستگی دمایی رسانش بایاس صفر در نانو سیم فلزی متصل شده به یک ابررسانای موج - d
1
6
FA
حمیدرضا
امامی پور
عضو هیئت علمی
h_emamipour@yahoo.com
نرگس
مهراب زاد
دانشگاه آزاد واحد تهران مرکز
10.22055/jrmbs.2015.11381
در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت<br />111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (<br />مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سیم )فلز یک بعدی( و فلز نرمال دو بعدی را نشان<br />نمی دهند در حالیکه در حهت ) 111 ( رسانش بایاس صفر بر حسب شدت پتانسیل اتصال، صعودی می باشد در حالیکه نتایج ما نشان می دهند که این منحنی برای مورد<br />نانو سیم کاهشی می باشد که دلیل آن به ناپدید شدن پیک های رسانش در بایاس صفر مربوط می شود.
ابررسانایی,نانو سیم,رسانش بایاس صفر
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11381.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11381_f0f6c27bb19a6374c15b5aac82eade05.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
5
9
2015
08
23
مطالعۀ نظری خواص ساختاری، کشسانی و پراکنش فونونی فوتوکاتالیست تنگستن تری اکسید
7
17
FA
فهیمه
شجاعی
پژوهشکده فوتونیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی و فناوری پیشرفته، ماهان، کرمان
f.shojaie@kgut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2015.11382
محاسبات اصول اولیه خواص ساختاری، کشسانی و پاشندگی فونونی تنگستن تری اکسید((WO3 مکعبی با تقریب شیب تعمیمیافته (GGA) و روش شبهپتانسیل فوق نرم، بر اساس نظریه تابعی چگالی انجام شده است. وابستگی فشار نسبت به ثابتهای کشسانی، مدولهای حجمی، مدولهای برشی، مدولهای یانگ، دمای دبای کشسانی، ضریب ناهمسانگردی کشسانی، نسبت پواسون، شکلپذیری، سرعتهای کشسان و پارامتر کلینمن نشان دادهشده است. تجزیه و تحلیل ثابتهای کشسانی محاسبه شده، نشان میدهد که از فشار GPa150 به بالا ساختارWO3 ازنظر مکانیکی ناپایدار میشود. از پاشندگی فونونی تنگستن تری اکسید مشاهده میشود که بسامدهای فونونی با کاهش حجم افزایش مییابند. نتایج نشان میدهد که ثابت شبکه و حجم سلول با نتایج تجربی توافق خوبی دارد. خواص کشسانی تنگستن تری اکسید مکعبی، برای اولین بار بررسیشدهاند.
خواص کشسانی,پاشندگی فونونی,ساختار مکعبی تنگستن تری اکسید,اصول اولیه
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11382.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11382_31c905dea5dde94a06056568cc3f3d9d.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
5
9
2015
08
23
مطالعه تحلیلی پذیرفتاری الکتریکی نانولولههای کربنی با در نظر گرفتن همپوشانی میان همسایههای مرتبه سوم
19
23
FA
عباس
ظریفی
عضو هیات علمی دانشگاه یاسوج
zarifi@yu.ac.ir
فاطمه
عطار
مدرس
fatemeh.attar87@gmail.com
10.22055/jrmbs.2015.11383
توصیف ترازهای انرژی برای گرافین و همچنین نانولولههای کربنی به کمک تقریب بستگی قوی با در نظر گرفتن همپوشانی میان توابع موج اتمی مربوط به الکترونهای اوربیتال اتمهای کربن و همچنین لحاظ نمودن همپوشانی تا همسایههای مرتبه سوم، به خوبی با نتایج حاصل از محاسبات اصول اولیه(first principle ) برای این ساختارها در توافق میباشد.<br /> [S. Reich, et all, Phys. Rev. B 66, 035412(2012)]<br />لذا در این تحقیق برآن شدیم با استفاده از این روش ساده علاوه بر ترازهای انرژی، عناصر ماتریسی دو قطبی الکتریکی و پذیرفتاری الکتریکی خطی به صورت تابعی از فرکانس اپتیکی را برای چندین نانولولهی کربنی تک دیواره برای حالت نور قطبیده موازی با محور نانولولهها بررسی نماییم. سپس پذیرفتاری الکتریکی خطی بدست آمده را با نتایج حاصل از محاسبات به کمک روش بستگی قوی با در نظر گرفتن صرفا همسایههای اول و سپس همسایههای دوم بدون و با در نظر گرفتن همپوشانی مقایسه نماییم. نمودارهای ترازهای انرژی حاکی از آن هستند که وارد کردن همپوشانی اولا تقارن ترازهای انرژی را از بین میبرد و از طرفی ضمن افزایش دقّت محاسبات، فرایند سرخگرایی ویا انتقال به سرخ را در طیف پذیرفتاری الکتریکی برای همه نانولولههای کربنی به همراه دارد.
پذیرفتاری الکتریکی,نانولولههای کربنی,بستگی قوی و همسایههای سوم
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11383.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11383_c81df0734cc2d3e91040ae9d8e61b99d.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
5
9
2015
08
23
محاسبهی سطح مقطع جزئی و کل در ربایش الکترون از اتم هیدروژن توسط برخورد پروتون در تقریب مرتبه اول برهمکنش
25
39
FA
رضا
فتحی
0000-0002-6097-8962
هیئت علمی
rfathi@uk.ac.ir
فریده
شجاعی
0000-0003-3187-9014
دانشگاه شهید باهنر
fshojaei@uk.ac.ir
شیما
عزیزان
دانشگاه شهید باهنر
sazizan@sci.uk.ac.ir
منصوره
رحمانیان
دانشگاه شهید باهنر
mansoreh.rahmaniyan@gmail.com
محمد صدیق
سلطانی نژاد
دانشگاه شهید باهنر
mssn4714@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2015.11384
در این کار سطح مقطع جزئی و کل در برخورد پروتون با اتم هیدروژن در کانال انتقال بار و در تقریب مرتبه اول برهمکنش در این کار سطح مقطع جزئی و کل در برخورد پروتون با اتم هیدروژن در کانال انتقال بار و در تقریب مرتبه اول برهمکنش به صورت تحلیلی محاسبه شده است. این روش در قالب فرمولبندی سه جسمی، در انرژیهای میانی و بالا برای تشکیل اتم هیدروژن در گذار و بهکار گرفته شده است. دامنههای پراکندگی بااستفاده از تکنیک تبدیل فوریه و انتگرال های فاینمن و نوردسیک در سه تقریب متفاوت محاسبه شده و در نهایت نتایج بهدست آمده بهصورت سطح مقطع جزئی و کل با نتایج تئوری و تجربی در دسترس مقایسه شدهاند. محاسبات نشان میدهند که پراکندگی رودررو در گذار در زوایا و انرژیهای بزرگ پراکندگی یک مسألهی قابل ملاحظه است.
کانال انتقال بار,سطح مقطع دیفرانسیلی و کل,پراکندگی سه جسمی,دامنهی پراکندگی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11384.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11384_81c4ef58ee19d59377ec7c9afee279f4.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
5
9
2015
08
23
بررسی اثر جریان بر مشخصات ساختاری و مغناطیسی نانوذرات الکتروبلوری مگنتایت در حضور امواج فراصوت
41
51
FA
صبا
موسیوند
0000-0002-9288-6878
دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه - گروه فیزیک
mosivand.s@lu.ac.ir
ایرج
کاظمی نژاد
0000-0002-3035-9992
دانشگاه شهید چمران اهواز- دانشکده علوم - گروه فیزیک
i.kazeminezhad@scu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2015.11385
نانوذرات مغناطیسی مگنتایت از طریق فرآیند سونوالکترواکسیداسیون ورقهی آهن در محلول آبی الکترولیت محتوی تیوره به-عنوان پایدارساز آلی، رشد داده شدند. اثر تغییرات جریان اعمال شده، بر خواص ساختاری و مغناطیسی نانوذرات مورد مطالعه قرار گرفت. مشخصهیابی ساختاری ذرات توسط دستگاههای XRD و SEM صورت پذیرفت. مغناطش نمونهها توسط مغناطیسسنج VSM در دمای اتاق بررسی شد. بهمنظور مطالعهی استوکیومتری و میزان تهیجاهای آهن در ساختار نمونهها، طیفهای موسبائر آنها بررسی شدند. الگوی XRD نمونهها، تشکیل ساختار اسپینل مکعبی Fe3O4 با گروه فضایی را تأیید کرد. تصاویر SEM نشان دادند که نانوذرات اکسید آهن با اندازهی میانگین در محدودهی 25 تا 50 نانومتر، وابسته به جریان اعمال شده به سیستم الکترواکسیداسیون رشد یافتهاند. نتایج مغناطیسسنجی VSM نشان داد که نمونهها در دمای اتاق از نظر مغناطیسی نرم و مغناطش آنها به اندازهی میانگین ذرات وابسته است. طیفهای موسبائر عمدتاً به دو زیرطیف شش-تایی مطابق با مشارکت یونهای Fe3+ در جایگاه چهاروجهی A و حالت آمیختهی Fe2.5+ در جایگاه هشتوجهی B در ساختار مگنتایت برازش گردیدند. با کمک اطلاعات حاصل از برازش طیفها، فرمول شیمیایی نمونهها با لحاظ کردن مقدار نقص آهن در ساختار آنها محاسبه گردید.
نانوذرات مگنتایت,تیوره,جریان,سونوالکترواکسیداسیون,خواص ساختاری,مغناطش
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11385.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11385_2d57e220dafdceefa1c50c3fd0dde6f6.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
5
9
2015
08
23
الکتروانباشت و مطالعه ساختاری و خواص مغناطیسی نانوساختارهای آهن-پلاتین
53
63
FA
راضیه
ترابی فارسانی
دانشگاه اراک
raziye_torabi@yahoo.com
غلامرضا
نبیونی
0000-0001-8703-9693
دانشگاه اراک
g-nabiyouni@araku.ac.ir
10.22055/jrmbs.2015.11386
در این تحقیق الکتروانباشت تک حمام لایههای نازک فلزی Pt و آلیاژی FePt با درصدهای مختلف آهن، بر روی زیرلایه-های مس و طلا، مطالعه گردید. الکتروانباشت در مد کرنوکولومتری (CHC) تحت پتانسیل صورت گرفت. با استفاده از ولتامتری چرخهای (CV) ولتاژ شروع انباشت لایههای آلیاژی مشخص شد. در ادامه بس لایهایهای FePt/Pt با ضخامت-های متفاوت لایههای پلاتین بر زیر لایههای مس و طلا رسوب داده شد و تأثیر این تغییر ضخامت بر مورفولوژی سطحی لایهها مورد بررسی قرار گرفت. با استفاده از تکنیکهای پراش پرتو ایکس (XRD)و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ساختار و مورفولوژی لایههای آلیاژی FePt و بسلایهای FePt/Pt مورد بررسی قرار گرفت و به کمک آنالیز تفکیک انرژی پرتو ایکس (EDX) درصد وزنی و اتمی عناصر موجود در لایههای انباشتی تعیین گردید. همچنین خواص مغناطیسی لایههای آلیاژی FePt توسط دستگاه مغناطوسنج نیروی متناوب (AGFM) مورد مطالعه قرارگرفته است
"الکتروانباشت","لایه های نازک","آهن پلاتین","ولتامتری چرخه ای","مورفولوژی سطحی","خواص مغناطیسی"
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11386.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_11386_c073822dbf2217fa926c732b575f82cf.pdf