دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
6
11
2016
06
21
استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیمهای InAs و ZnO در محیط دیالکتریک
1
6
FA
قاسم
انصاری پور
گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدان
gansaripour@basu.ac.ir
بهاره
شایقی
Department of Physics, Yazd University
bshayeghy@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2016.12083
در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دیالکتریک گاز الکترونی نانوسیمهای نیمرسانایInAs <strong> </strong>وZnO <strong> </strong>پوشیده شده با یک محیط دیالکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان دادهایم هنگامی که این نانوسیمها با محیطی با ثابت دیالکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دیالکتریک نانوسیم نیمرسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش مییابد. در حالی که در محیطی با ثابت دیالکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دیالکتریک نیمرسانا) قدرت تابع دیالکتریک افزایش مییابد. همچنین رفتار تابع دیالکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دیالکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گسترة دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار دادهایم.
استتارکوآنتومی,گاز الکترونی,نانوسیم,تابع دی الکتریک
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083_b3dec056d891671218325255c9939c4e.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
6
11
2016
06
21
بررسی عددی عامل M2 پرتوهای پیرامحوری اینس-گاوس
7
14
FA
مجتبی
ثروت خواه
گروه فیزیک، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامی، مرودشت، ایران
servatkhah@yahoo.com
راحله
پورمند
0000-0002-2695-0886
گروه فیزیک، مرکز آموزش عالی استهبان، استهبان، فارس، ایران
rahele.pourmand@gmail.com
حمید
نادگران
عضو هیات علمی دانشگاه شیراز
nadgaran@susc.ac.ir
10.22055/jrmbs.2016.12084
پرتوهای اینس-گاوس از جمله پرتوهای هلمهولتز-گاوس هستند که مجموعة کامل و متعامدی از جوابهای معادله موج پیرامحوری در مختصات بیضوی را تشکیل میدهند. در این مقاله با محاسبة عددی ممان مرتبة دوم پرتو، به بررسی عامل این پرتوها پرداخته شده است. سپس بهوسیلة برازش دادههای عددی، یک مدل محاسباتی برای رفتار عامل برحسب عدد مد ارائه شده است. نتایج نشان میدهند که رابطة عامل پرتو بهصورت تابع خطی و صعودی از مرتبة مد میباشد، در حالیکه این عامل مستقل از عدد مد است. این محاسبات طراحان سیسستمهای لیزر را در دستیابی سریع به عامل این پرتوها یاری کرده و از انجام محاسبات پیچیده بینیاز میگرداند.
معادله موج پیرامحوری,پرتوهای هلم هولتزگوس,پرتوهای اینس گوس,عامل M2
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12084.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12084_49fe43b2deaa7be308a1ad5cca9a49d1.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
6
11
2016
06
21
ویژگیهای ساختاری و اپتیکی لایههای نازک ZnS تهیه شده به دو روش متفاوت PVD و اسپری پایرولیزیز
15
21
FA
محمد رضا
خانلری
عضو هیات علمی دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)
khanlary@yahoo.com
کبری
نعمتی آرا
مدرس فیزیک
anematiara@yahoo.com
عارفه
حمیدی راد
مدرس پاره وقت حق التدریسی
arefehamidirad@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2016.12085
لایههای نازک ZnS بر روی زیرلایههای شیشهای در دماهای مختلف زیرلایه به دو روش تبخیر در خلأ (PVD) و اسپری پایرولیزیز لایهنشانی شدند و در دمای °C 500 درهوا بازپخت گردیدند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایهها توسط طیف پراش اشعة ایکس و طیفسنجی UV/VIS بررسی شد و همچنین بهکمک دادههای طیف عبوری، گاف انرژی محاسبه گردید. نتایج آزمایشها حاکی از آن است که همة لایهها دارای ساختار مکعبی هستند. تبلور لایهها در نتیجه بازپخت بهبود و اندازة دانهها افزایش یافته است. توان عبور نور از لایهها در هر دو روش با افزایش ضخامت کاهش یافته است اما در نتیجه بازپخت میزان عبور لایههای تهیه شده بهروش PVD افزایش و عبور فیلمهای ساخته شده بهروش افشانهای کاهش پیدا کردهاند. علاوه بر آن نتایج متفاوتی در مقادیر گاف انرژی در اثر افزایش در ضخامت و عمل بازپخت در هر دو روش مشاهده میشود.
لایههای نازک ZnS,اسپری پایرولیزیز,تبخیر گرمائی فیزیکی PVD,خواص اپتیکی,ویژگی ساختاری
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12085.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12085_91ea49a03d3981b180ed55f61b82f9a9.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
6
11
2016
06
21
تشکیل پوزیترونیوم در ربایش الکترون از مولکول متان محاسبه سطح مقطع پراکندگی جزیی وکل ازدامنههای پراکندگی مرتبه اول الکترونی و بین هستهای
23
34
FA
فریده
شجاعی
0000-0003-3187-9014
هیئت علمی/دانشگاه شهید باهنر کرمان، دانشکده فیزیک
fshojaei@uk.ac.ir
10.22055/jrmbs.2016.12086
در این مقاله با اعمال فرمولبندی سه جسمی با شرایط مرزی تصحیح شده در تقریب مرتبة اول بورن و استفاده از روش مدل الکترون فعال، دامنه الکترونی مرتبة اول و دامنة بین هستهای مرتبة اول محاسبه شده است. با استفاده از دامنههای جزیی، سطح مقطع پراکندگی جزیی و کل، برای تشکیل پوزیترونیوم در برخورد پوزیترون با مولکول متان در انرژیهای میانه، بالا و غیرنسبیتی محاسبه شده، سطح مقطع کل با نتایج تجربی موجود مقایسه شده است. محدودة انرژی برخورد eV 400 تا keV 2 و زاویة پراکندگی پوزیترون 0 تا 180 درجه انتخاب گردیده است. سطح مقطع در چارچوب مرکز جرم محاسبه و به چارچوب آزمایشگاه تبدیل شده است.
پوزیترونیوم,مولکول متان,شرایط مرزی تصحیح شده,ربایش الکترون
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12086.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12086_38aab747298aab4d4b57592106d5e661.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
6
11
2016
06
21
بررسی نسبت مولی اسیدسیتریک بر خواص ساختاری، مغناطیسی و دی الکتریکی نانوساختارهای SrNi2Fe16O27
35
48
FA
سید ابراهیم
موسوی قهفرخی
0000-0002-4495-5859
عضو هیأت علمی
musavi_ebrahim@yahoo.co.uk
نرگس
حیدری
دانشجو
nargesheidari24@yahoo.com
مرتضی
زرگر شوشتری
0000-0002-9225-2429
عضو هیأت علمی
zargar@scu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2016.12099
چکیده<br />در این مقاله، نانوساختارهای هگزافریت استرانسیوم نوع-W با ترکیب SrNi2Fe16O27 با نسبت مولی اسیدسیتریک به نیترات-های فلزی 1، 5/1 و 2 به روش سل-ژل خود احتراقی تهیه گردید. ابتدا از نمونهها ژلی در دمای C° 300 احتراق داده شد، و در نهایت در دماهای 900، 1000 و C° 1100 بازپخت شد. نانوساختارهای ساخته شده با استفاده از دستگاههای الگوی پراش پرتوی ایکس ((XRD، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی FESEM))، اسپکتروفوتومتری تبدیل فوریه مادون قرمزFT-IR)) و مغناطیسسنج نمونة ارتعاشی(VSM) مشخصهیابی شدند. الگوی پراش پرتوی ایکس نمونهها نشان داد که در نسبت مولی 1 فاز خالص در دمای C° 1000 تشکیل میشود و هرچه نسبت مولی اسیدسیتریک به نیتراتهای فلزی افزایش یابد دمای لازم برای تشکیل فاز SrNi2Fe16O27افزایش مییابد. نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان داد که در نسبتهای مولی مختلف ریختشناسیهای مختلفی بدست آمد و با افزایش نسبت مولی اسید سیتریک اندازة ذرات افزایش مییابد. وجود قلههای جذبی FT-IRدر گسترة 1- cm470-430 و 1- cm590-550 در همة نمونهها، بهترتیب بیانگر تشکیل خوشههای چهاروجهی و هشتوجهی اکسیدهای فلزی در فریتها هستند. منحنی پسماند مغناطیسی نمونهها نشان داد که با افزایش نسبت مولی اسید سیتریک به نیتراتهای فلزی مغناطش اشباع ویژه افزایش و همچنین میدان وادارندگی کاهش مییابد.
نسبت مولی,اسید سیتریک,سل- ژل احتراقی,هگزافریت نوع-.W
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12099.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12099_8b968d29867adceebcf44760b70b8af1.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
6
11
2016
06
21
مدهای فونونی نوری در بلور BaWO4
49
55
FA
حلیمه
نجف وندزاده
دانشجوی دکتری فیزیک ماده چگال دانشگاه دامغان
najafin9@gmail.com
رشید
ولی
0000-0002-6471-0517
دانشگاه علوم پایه دامغان
vali@du.ac.ir
10.22055/jrmbs.2016.12088
با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور BaWO<sub>4</sub> بهدست آمدهاند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن بهدست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطهای C<sub>4h</sub>، مدهای فونونی برحسب گونههای تقارنی شناسایی شدند. بسامدهای فونونی بهدست آمده تطابق خوبی را با مقادیر تجربی گزارش شده نشان میدهند. نتایج بهدست آمده، بسامد یک مد فعال رامان از گونه تقارنی <sub>g</sub>B که بهطور تجربی مشاهده نشده است را پیشبینی میکنند.
نظریه تابعی چگالی اختلالی,بسامد های فونونی,باریم تنگستات
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12088.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12088_51271f0412449ef82ad04f7961ab859b.pdf