دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
درهمتنیدگی دوبخشی و چندبخشی در گرافهای درهمتنیده
1
10
FA
احمد
آخوند
0000-0001-5385-1149
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه پیام نور تهران، ایران
aakhound@yahoo.com
سعید
حدادی
0000-0002-1596-0763
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه پیام نور تهران، ایران
haddadi@physicist.net
محمد علی
چمن مطلق
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
machaman2000@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2018.13972
در این پژوهش ابتدا رابطه ای پارامتری برای سنجش مقدار درهم تنیدگی بین هر جفت کیوبیت برای گراف هایی با بیش از چهار کیوبیت به دست می آوریم. سپس مقدار درهم تنیدگی بین هر جفت کیوبیت را در گراف های پنج کیوبیتی محاسبه می کنیم. در ادامه ثابت می کنیم که تعداد 1024 گراف سیستم پنج کیوبیتی بر اساس بیشینه ی درهم تنیدگیِ بین هر جفت کیوبیت به 31 دسته و بر اساس تعداد یال های گراف و درجات رئوس به 40 دسته تقسیم می شوند. علاوه بر این بر اساس نتایج عددی به دست آمده از سنجه های درهم تنیدگی چندبخشی به نام های سنجه ی تلاقی تعمیم یافته، سنجه ی گلوبال و سنجه ی مایر- والاچ نشان می دهیم که تمامیِ گراف های سیستم مذکور به ترتیب در 24، 32 و 23 دسته قرار می گیرند. هم چنین نتایج حاصل از سه سنجه ی مذکور نشان می دهند که بیش ترین مقدار درهم تنیدگی چندبخشی متعلق به گراف حلقه ای و کم ترین مقدار آن مربوط به گراف تک یال است، در حالی که بیش ترین مقدار درهم تنیدگی بین هر جفت کیوبیت در گراف تک یال و کم ترین مقدار آن مربوط به گراف کامل است.
درهم تنیدگی,گراف درهم تنیده,سنجه ی تلاقی تعمیم یافته,سنجه ی گلوبال,سنجه ی مایر-والاچ
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13972.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13972_0489440d15b8b95feb3461ba973449af.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
اثر پلیمرهای مختلف بر ویژگیهای ساختاری و مغناطیسی فریت کبالت (CoFe2O4) تهیه شده بهروش سل-ژل
11
21
FA
زهرا
مصلح
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان، ایران
z.mosleh@ph.iut.ac.ir
مهین
اشراقی
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، ایران
mahin_eshraghi@yahoo.com
پرویز
کاملی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان، ایران
kameli@iut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13961
تحقیق حاضر به ساخت و بررسی ویژگیهای ساختاری و مغناطیسی فریت کبالت (CoFe2O4) در حضور پلیمرهای پلی وینیل الکل (Polyvinyl alcohol)، پلی وینیل پیرولیدون (Polyvinyl pyrrolidone)، پلی اتیلن گلیکول <br /> (Polyethylene glycol) و اتیلن گلیکول (Ethylene glycol) پرداخته است. نمونهها با استفاده از روش سل- ژل در شرایط یکسان تهیه شدند. به منظور بررسی ویژگیهای ساختاری و مغناطیسی نمونههای تهیه شده، مشخصهیابی های مختلفی از جمله پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنج مادون قرمز (FT-IR) و مغناطش سنج ارتعاشی (VSM) انجام شد. طیف پراش پرتو ایکس نمونهها نشان داد که نمونههای تهیه شده تقریبا تکفاز و گروه فضایی Fd-3m دارند. بررسی ویژگیهای مغناطیسی نمونهها نیز نشان داد که میزان مغناطش اشباع در نمونهی تهیه شده با پلی وینیل پیرولیدون کمترین مقدار (emu/g50) و در نمونهی تهیه شده با اتیلن گلیکول بیشترین مقدار (emu/g71) است. همچنین میدان وادارندگی برای نمونهی تهیه شده با پلی اتیلن گلیکول کمترین مقدار (Oe904) و برای نمونهی تهیه شده با پلی وینیل الکل بیشترین مقدار (Oe1200) را دارد. این نتایج نشان می دهند که با استفاده از پلیمرهای مختلف در فرایند ساخت، تا حدودی میتوان ویژگیهای مغناطیسی فریتها را کنترل کرد.
فریت کبالت,پلیوینیل الکل,پلیوینیل پیرولیدون,پلیاتیلن گلیکول,اتیلن گلیکول,ویژگیهای ساختاری و مغناطیسی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13961.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13961_07b0767d6bd6449ee5270f813ad2ee33.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
محاسبه خواص مکانیکی و ترمودینامیکی ساختار 3C کربید سیلیکون با استفاده از دینامیک مولکولی و نظریه تابعی چگالی
22
38
FA
ایمان
پیوسته
دانشگاه شهید بهشتی
ghasem1us@yahoo.com
قاسم
اله یاری زاده
0000-0002-9403-4206
دانشگاه شهید بهشتی
g_alahyarizadeh@yahoo.com
عبدالحمید
مینوچهر
دانشگاه شهید بهشتی
a.minuchehr@sbu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13975
کربید سیلیکون به خاطر خواص فوقالعاده مکانیکی، فیزیکی، ترمودینامیکی و شیمیایی، یک سرامیک بسیار جذاب برای اکثر صنایع است. در این پژوهش خواص مکانیکی و ترمودینامیکی ساختار C3 کربید سیلیکون با استفاده از شبیهسازیهای دینامیک مولکولی و نظریه تابعی چگالی مبتنی بر تقریب شیب تعمیم یافته در دما و فشارهای بالا محاسبه و جهت صحت با نتایج تجربی موجود مقایسه شده است. محاسبات دینامیک مولکولی با استفاده از پتانسیل های بین اتمی ترسوف و واشیشتا صورت گرفته است. نتایج شبیه سازی دلالت بر این دارد که هر دو پتانسیل قابلیت بالایی در بهینهسازی ساختارهای موردنظر دارند. خواص مکانیکی کربید سیلیکون شامل ضرایب کشسانی، مدول حجمی، یانگ و برشی و ضریب پواسون در دما و فشار محیط و فشار و دمای بالا به ترتیب تا 50 گیگاپاسگال و 1000 کلوین با استفاده از پتانسیل ترسوف محاسبه شده که نشان از همخوانی بسیار خوبی با مقادیر تجربی دارند. خواص ترمودینامیکی کربید سیلیکون از قبیل دمای ذوب، دمای دیبای، ظرفیت گرمایی ویژه در حجم و فشار ثابت، ضریب انبساط خطی، و ضریب رسانش گرمایی در فشار محیط و فشار بالا نیز با استفاده از دینامیک مولکولی و نظریه تابعی چگالی محاسبه شدند.
کربید سیلیکون,دینامیک ملکولی,نظریه تابعی چگالی,دما و فشار بالا,خواص مکانیکی و ترمودینامیکی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13975.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13975_d4bdb24f32da241c588d7297917f8986.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
بررسی تأثیر اندازه سوسوزن بر شکل تابع پاسخ آشکارسازهای NE102 و NE213 برای پرتوهای گاما
39
46
FA
مختار
یدالهی روشن
گروه فیزیک هسته ای و ذرات بنیادی، دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
mokhtar.y.roshan@gmail.com
مجتبی
تاجیک
0000-0002-8714-5135
گروه فیزیک هسته ای و درات بنیادی ، دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
mtajik53@gmail.com
10.22055/jrmbs.2018.13973
در این مقاله، اثر ابعاد سوسوزن بر شکل تابع پاسخ آشکارسازهای سوسوزن آلی NE102 و NE213 با هندسه استوانه ای مطالعه شده است. طیف تابع پاسخ آشکارسازهای سوسوزن ها با ابعاد مختلف، هنگامی که در معرض تابشهای گامای چشمه های Cs137، Co60 و Na22 قرار گرفتند، با استفاده از کد MCNPX-PHORTACK شبیه سازی و سپس اندازه گیری شد. با استفاده از تابع پاسخ های شبیه سازی و تجربی، میزان تأثیر اندازه سوسوزن بر شکل تابع پاسخ، قدرت تفکیک انرژی و بازدهی برای آشکارسازهای سوسوزن محاسبه شد. مقایسه مقادیر شبیه سازی بازدهی و قدرت تفکیک انرژی سوسوزن ها با مقادیر اندازهگیری شده و نتایج تجربی دیگران، همخوانی خوبی را نشان می دهد.
تابع پاسخ,قدرت تفکیک انرژی,بازدهی انرژی,کد تلفیقی MCNPX-PHOTRACK
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13973.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13973_7f884a4130baa78a241942553b36c882.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
اثر جذب سطحی نانو لایه h-BN روی خواص ساختاری و الکترونی تک لایه WS2 با استفاده از اصول اولیه
47
57
FA
سیدفردین
تقی زاده
0000-0002-2506-1921
عضو هیأت علمی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یاسوج، یاسوج، ایران
s_f_taghizadeh@yahoo.com
زهرا
قاسمی مجد
دانشگاه یاسوج ، یاسوج ،ایران
ghasemimajdzahra@yahoo.com
پیمان
امیری
0000-0002-4807-3757
عضو هیات علمی گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز، ایران
amiri_physics@yahoo.com
بهروز
واثقی
0000000000000000
عضو هیات علمی
vaseghi@mail.yu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13959
جذب تک لایه h-BN بر روی نانولایه WS2 در چارچوب نظریه تابع چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم اسپرسو بررسی شده است. محاسبات با تابع های تبادلی-همبستگی شامل LDA،GGA و با استفاده از دو رهیافت نیمهتجربی و ابتدا به ساکن با به کارگیری تابعهای DFT-D2، vdW-DF2و vdW-DF2B86R صورت گرفته تا کارایی تابعهای مختلف برای پیشبینی انرژی جذب، مکانیسم جذب و فاصله جذب بین دو لایه h-BN و WS2 بررسی شوند. به منظور اعمال برهمکنش واندروالس تصصیح نیروی پراکندگی دور برد در دو رهیافت نیمهتجربی و ابتدا به ساکن بررسی شده است و به نظر میرسد که تقریب vdW-DF2B86R مناسبترین تابع باشد. هر دو رهیافت ابتدا به ساکن و نیمهتجربی جذب فیزیکی بدون انتقال بار خالص بین دو صفحه h-BN و WS2 را پیشبینی میکنند. همچنین خواص الکترونی، ساختاری و چگالی حالتها برای ترکیب نامتجانس WS2/h-BN بررسی شده است. نتایج نشان میدهد که سامانۀ مرکب ساختاری با گاف مستقیم در نقطه K دارد که از نقطه نظر تجربی نیز مورد تایید میباشد
نظریه تابعی چگالی,نیترید بور,دی سولفید تنگستن,ساختار الکترونی,جذب فیزیکی,برهمکنش واندروالس
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13959.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13959_decc4eb76261a05f0466cfb1915aacc3.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
مقاومت مغناطیسی تنظیمپذیر در پیوندگاه گرافین گافدار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی
58
70
FA
یاسر
حاجتی
هیات علمی
yaserhajati@gmail.com
10.22055/jrmbs.2018.13953
در تحقیق حاضر با اعمال همزمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گافدار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان میدهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف درهای در ساختار گرافین نمیشود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه قابل کنترل و تنظیم است. همچنین نشان داده شده است که مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به شدت به پارامترهای کشش اعمالی به گرافین، سد مغناطیسی، پیکربندی بردار مغناطش نواحی فرومغناطیس و گاف جرمی زیر لایه وابسته است به گونه-ای که با انتخاب مقادیر مناسبی برای پارامترهای مذکور، مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به 100% میرسد. به طور مشخص برای دره K با تغییر پیکربندی از موازی به پادموازی با اعمال مقادیر مذکور، نمودار رسانش پادموازی سریعتر نسبت به نمودار رسانش موازی به صفر میرسد. در این شرایط پیوندگاه فقط برای پیکربندی رسانش موازی از خود عبور نشان میدهد که این امر منجر به بیشینه شدن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه میشود. تنظیمپذیر بودن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه نشان دهندۀ کاربرد آن در وسایل اسپین-الکترونیکی بر پایۀ گرافین است.
مقاومت مغناطیسی,کشش,سد مغناطیسی,گرافین گافدار
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13953.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13953_232e6f94c8d7691ca6ce0692f4b737f7.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
بررسی همزمان سازی سیستم های یکسان و غیر یکسان
71
82
FA
رضا
خرداد
0000-0001-5180-2650
هیات علمی
rezakh2025@yahoo.com
محمد علی
دهقانی
دانشگاه زنجان، گروه فیزیک
dehghani@znu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13951
همانگونه که می دانیم روش های متعددی برای همزمان سازی سیستم های بی نظم وجود دارد. در این تحقیق، روش هم زمانی تطبیقی را برای سه سیستم جالب مورد مطالعه قرار می دهیم. این سیستم ها شامل سیستم راسلر-راسلر، سیستم لیو- لیو و سیستم لیو- راسلر می باشند. همزمانی این سیستم ها را تحت شرایط گوناگون شبیه سازی می کنیم. شبیه سازی همزمانی بین سیستم های مورد مطالعه نشان می دهند که این سیستم ها حتی در حضور پارامتر های نامعلوم می توانند به طور کامل همزمان شوند. از نتایج به دست آمده در می یابیم که سرعت همزمانی در سیستم راسلر- راسلر سریعتر از دو سیستم دیگر می باشد. همچنین، سیستم لیو- لیو سریعتر سیستم سوم همزمان می شود. به طور خلاصه می توان گفت که روش شبیه سازی تطبیقی برای سیستم های یکسان (راسلر- راسلر و لیو- لیو) بهتر عمل می کند و این سیستم ها زودتر همزمان می شوند.
همزمانی تطبیقی,سیستم های بی نظم,بی نظمی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13951.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13951_19fbefe8bfd9650390386307eaf615f5.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
حالت های لبه ای توپولوژیک القاشده بوسیله ی لیزر در یک زنجیره با طیف انرژی چهار نواری
83
93
FA
میلاد
جنگ جان
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه زنجان، ایران
milad.jangjan@gmail.com
میروحید
حسینی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه زنجان، ایران
mv.hosseini@znu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13950
بر اساس نظریه سیستمهای کوانتومی واداشتهی دورهای، بواسطه اعمال نور بر سیستمهای حالت جامد مسیر جدیدی برای یافتن فازهای توپولوژیک میتوان ایجاد نمود. در اینجا ما به صورت نظری یک شبکه یک بعدی را به صورت سیم کوانتومی در نظر میگیریم که تحت اعمال یک پرتو لیزر با قطبش خطی قرار دارد. با استفاده از نظریهی فلوکه هامیلتونی وابسته به زمان سیستم را به صورت هامیلتونی مستقل از زمان مینویسیم و به بررسی طیف شبه انرژی سیستم میپردازیم. نتایج بدست آمده نشان میدهد که به ازای مقادیر متفاوتی از هاپینگ و همچنین مقادیری از شدت لیزر اعمال شده، سیستم میزبان صفر، یک، دو یا سه جفت حالت لبهای است. برای محاسبهی ناوردای توپولوژیک، از فاز بری (فاز زاک در یک بعد) استفاده کردهایم که برای یک، دو و سه جفت حالت لبهای بترتیب ناوردای توپولوژیک مقادیر یک، دو و سه را کسب میکند. همچنین در این سیستم تقارنهای معکوس زمانی، الکترون-حفره، کایرال و پاریته وجود دارد. اگر تقارن پاریته شکسته شود، حالتهای لبهای در گاف اصلی و همچنین گاف زیرنوارهای ظرفیت و رسانش از بین میروند.
نظریه ی فلوکه,هامیلتونی موثر,عایق توپولوژیک فلوکه,گذار فاز توپولوژیک
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13950.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13950_efca1d5d59a3cf3cf809242fcf52ffd0.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
بررسی محبوسشدگی کوارکها به روش ایوالد روی شبکه مشبندیشده
94
100
FA
صدیقه
دلدار
دانشگاه تهران
sdeldar@ut.ac.ir
مطهره
کیاماری
دانشکده فیزیک دانشگاه تهران،تهران،ایران
m_kiamari@ut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13971
در این پژوهش ما به مطالعه پدیده محبوسشدگی کوارکها با استفاده از دایونها به عنوان ساختارهای خلا نظریه QCD پرداختیم و تعمیم روش ایوالد روی شبکه مشبندیشده را روی آنسامبلی از دایونهای بدون برهمکنش و با برهمکنش اعمال کردیم. به این ترتیب توانستیم تابعیت خطی انرژی آزاد جفت کوارک و پادکوارک را نسبت به فاصله آنها از یکدیگر در هر دو شبیهسازی بدون برهمکنش و با برهمکنش در دمای نزدیک به دمای وامحبوسشدگی نشان دهیم و همچنین نشان دادیم که با اضافه کردن برهمکنشهای بین دایونی به یک سیستم، کشش ریسمان و یا به عبارت دیگر شدت میدانهای گلوئونی افزایش مییابد و دمای سیستم کاهش پیدا میکند.
محبوسشدگی کوارکها,کالورون,دایون,روش ایوالد,تعمیم روش ایوالد روی شبکه مشبندیشده
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13971.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13971_de8ec6436cead1d0847ca916276497e5.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
مطالعۀ ساخت نانوذرات آلومینات استرانسیوم و آلایش با دیسپروزیوم
101
117
FA
مرتضی
زرگر شوشتری
0000-0002-9225-2429
عضو هیأت علمی
zargar@scu.ac.ir
سمیه
باهام بختیاری
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
s-bahambakhtiari@mscstu.scu.ac.ir
محمد
صبائیان
Shahid Chamran University of Ahvaz
Ahvaz, Khuzestan, Iran
Join institution
sabaeian@scu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14236
در این پژوهش، ساخت نانوذرات آلومینات استرانسیوم (SrAl2O4) به روش احتراقی به کمک مایکروویو و آلایش آنها با دیسپروزیوم (SrAl2O4:Dy) مورد بررسی قرار گرفته است. مشخصه یابی نانوذرات با روش های XRD،FT-IR ،EDS ،FESEM ، UV-Vis و PL انجام شد. در مرحلة ساخت، الگوهای پراش پرتوی ایکس تشکیل آلومینات استرانسیوم با تقارن تک میلی و گروه فضایی P1211 را در نمونه با نسبت سوخت به نیترات 3 به 1، مقدار pH برابر با 5/5، زمان 5 دقیقه تابش دهی در مایکروویو، زمان پخت 1 ساعت و دمای پخت 600 درجة سانتی گراد تأیید کرد. با استفاده از داده های حاصل از پراش پودری پرتوی ایکس و فرمول شرر، متوسط اندازة نانوبلورک ها حدود 26 نانومتر به دست آمد. در مرحلة جانشینی، درصدهای مختلف آلایش با دیسپروزیوم، به منظور بهینه سازی فوتولومینسانس نانوذرات SrAl2O4 بررسی شد. در میان نانوذرات ساخته-شده، نانوذرات Sr0.9Al2O4:Dy0.1 با متوسط اندازة نانوذرات 3±34 نانومتر، پهنای توزیع فراوانی 30 تا 35 نانومتر، گاف اپتیکی01/0±21/4 الکترون ولت و دارا بودن بیشترین شدت نشر در طیف فوتولومینسانس، به عنوان نمونة بهینه از لحاظ خواص ساختاری و نوری شناخته شدند.
نانوفسفرسان,آلومینات استرانسیوم,روش مایکروویو احتراقی,دیسپروزیوم
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14236.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14236_ab547a70bfe3b76e8a539ab6c6b62288.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
اندازه گیری جابجایی فاز به روش تداخل سنج قطبشی هتروداین در حسگر تشدید پلاسمون سطحی
118
124
FA
سید هاشم
عارف
0000-0001-7866-7110
آزمایشگاه تحقیقاتی فوتونیک، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه قم، قم
h-aref@qom.ac.ir
فاطمه
مهجور
آزمایشگاه تحقیقاتی فوتونیک، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه قم، قم
fa.mahjour92@gmail.com
10.22055/jrmbs.2018.13964
از میان روشهای مختلف اندازه گیری مبتنی بر پلاسمون سطحی، آشکارسازی فاز موج پلاسمون سطحی یکی از دقیقترین و حساسترین روشها بهحساب میآید. فاز موج را می توان با دقت مناسبی به روش های مختلف تداخلی اندازه گیری نمود. در این پژوهش ابتدا فاز و شدت موج پلاسمون سطحی شبیه سازی شده و سپس با پیاده سازی چیدمان آزمایشگاهی تداخل سنج قطبشی هتروداین تغییر فاز موج پلاسمون سطحی و پاسخ آن نسبت به عامل خارجی (تغییر ضریب شکست محیط پیرامون) بدست آمده است. با توجه به آزمایش های انجام شده، مقدار میانگین حساسیت فاز در آزمون آب-الکل برابر 0/4266 degree/%gr/ml و برای آزمون آب-گلوکز برابر 1/4765 degree/%gr/ml و میزان قدرت تفکیک غلظت در آزمون آب-الکل برابر 0/49 %gr/ml و در آزمون آب-گلوکز برابر 0/14 %gr/ml بدست آمده است.
تشدید پلاسمون سطحی,حسگر ضریب شکست,تداخل سنج قطبشی هتروداین,جابجایی فاز
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13964.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13964_2f573b03521c56fc443b830ef9ac1343.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
بررسی اثر اضافه کردن کاتیون ترکیبی روبیدیم-سزیم روی عملکرد سلول خورشیدی پروسکایتی هالید و کاتیون ترکیبی MAFAPb(IBr)3
125
138
FA
محمدجعفر
نامور
0009-0006-2668-7754
دانشگاه فردوسی مشهد، ایران
mjafar.namvar@gmail.com
محمدحسین
عباسپورفرد
دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران
abaspour@um.ac.ir
محمود
رضائی رکن آبادی
دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران
roknabad@um.ac.ir
عباس
بهجت
0000-0002-7577-1251
دانشگاه یزد، یزد، ایران
abehjat@yazd.ac.ir
مسعود
میرزائی
دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران
mirzaeesh@um.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13963
در این تحقیق، کاتیون ترکیبی روبیدیم-سزیم (2(RbCsI به محلول اصلی پروسکایت با ساختارMA0.17FA0.83Pb(I0.83Br0.17)3 تزریق گردید. در ساختار اصلی این سلول، هم کاتیون های MA و FA و هم آنیون های برم (Br) و ید (I) که هالید ساختار هستند، وجود دارند. نسبت روبیدیم و سزیم برابر هم انتخاب شد و نسبت محلول یدید روبیدیم-سزیم برابر 5 % کل محلول اصلی پروسکایت در نظر گرفته شد. برای مقایسه سلولی دیگر به عنوان سلول شاهد ساخته شد که در آن فقط کاتیون سزیم (CsI) به محلول اصلی پروسکایت با ساختار فوق الذکر تزریق شد. در ادامه سلول حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم با سلول شاهد با توجه به نتایج تست های I-V، XRD و SEM مقایسه و بررسی گردید. نتایج نشان دادند که بازده سلول حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم4/0 درصد بیشتر از بازده سلول شاهد می باشند. علاوه براین پیک های پروسکایت در سلول حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم شدت بیشتری نسبت به سلول شاهد دارد که نشان دهنده بلورینگی و خلوص بیشتر پروسکایت حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم است. همچنین تصاویر SEM نشان میدهند که حفره ها در پروسکایت حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم کمتر از سلول شاهد می باشد. بنابراین سلول خورشیدی پروسکایتی حاوی کاتیون روبیدیم-سزیم نسبت به سلول شاهد بهبود یافته است.
سلول خورشیدی پروسکایتی,کاتیون ترکیبی,بازده,حفره,بلورینگی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13963.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13963_1682582cc8fe9e32aea427a1b8995bcb.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
تحلیل QCD تابع ساختار غیریکتای xF3 در پراکندگی ناکشسان ژرف نوترینو-نوکلئون
139
152
FA
اعظم
غفاری توران
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه سمنان
negar.ghafary@gmail.com
علی
خرمیان
گروه فیزیک ، دانشکده فیزیک ، دانشگاه سمنان ، سمنان، ایران
khorramiana@gmail.com
10.22055/jrmbs.2018.13976
در این مقاله با استفاده از دادههای تجربی گروههای CDHSWوCHORUS CCFR, NuTeV, برآنیم تا توابع توزیع ظرفیتی کوارکهای u و d را در طیف گستردهای از x و2^Q تعیین و آنها را بههمراه خطاهای همبسته در چارچوب xFitter استخراج کنیم. ما نتایج را برای توابع توزیع کوارک ظرفیتی بههمراه عدم قطعیت آنها استخراج نموده و با دیگر مدلهای مختلف مقایسه میکنیم. نتایج محاسبات ما برای ثابت جفتشدگی قوی در دو تقریب NLO و NNLO با نتایج مدلهای مختلف و نتایج اخیرPDG در توافق است. نتایج استخراج شده برای توزیع کوارک ظرفیتی با مدلهای نظری موجود سازگاری خوبی دارد.
تحلیل QCD,پراکندگی ناکشسان ژرف,توابع ساختار غیر یکتا,کوارک ظرفیتی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13976.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13976_7fe9fcea06f1a685bbfec90015ea7799.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
تحلیل عددی ایجاد میدان دنبالهی پالس میکروموج با پروفایل گاوسی در یک موجبر پلاسمایی
153
162
FA
رضا
فلاح
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بیرجند، بیرجند، ایران
rfallah62@gmail.com
سید محمد
خراشادی زاده
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بیرجند، بیرجند، ایران
smkhorashadizadeh@birjand.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13956
در این مقاله، انتشار پالس میکروموجی با نمایه گاوسی درون یک موجبر پلاسمایی مستطیلی درحضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی بررسی شده است. برای این منظور، با استفاده از معادلات ماکسول و معادلات هیدرودینامیکی سیال، معادله دیفرانسیلی برای پتانسیل دنباله پالس در موجبر محاسبه شده است. در ادامه با حل این معادله دیفرانسیل با استفاده از روش محاسباتی رانگ-کوتا مرتبه 4، توزیع میدان الکتریکی دنباله پالس (E ⃗_w) در موجبر پلاسمایی با فرض اینکه طول زمانی پالس برابر با دوره زمانی موج پلاسمایی است، شبیهسازی شده و تاثیر شدت و فرکانس پالس، عرض موجبر، چگالی الکترونی پلاسما و بزرگی میدان مغناطیسی خارجی بر انتشار پالس در موجبر و ایجاد میدان دنباله (ردپای پالس) بررسی گردیده است. نتایج عددی نشان میدهد که میدان دنباله پالس میکروموج، با افزایش شدت پالس، طول زمانی پالس و میدان مغناطیسی خارجی تقویت یافته و با افزایش چگالی پلاسما، فرکانس پالس و عرض موجبر تضعیف میشود. بنابراین با بهینه سازی پارامترهای مربوط به پالس گاوسی و موجبر پلاسمایی، ایجاد میدان دنباله پالس قوی به منظور شتابدهی ذرات باردار امکانپذیر میباشد.
برهمکنش میکروموج با پلاسما,میدان دنباله,موجبر پلاسمایی مستطیلی,پالس میکروموج گاوسی,میدان مغناطیسی خارجی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13956.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13956_15a8e3835e2c2149cd17d9326f47e2e9.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
رشد نانوساختارهای اکسیدتیتانیوم با روشهای آندایز و تبخیر شیمیایی و بررسی خواص فیزیکی آنها
163
170
FA
طاهره
حسین زاده
Tehran, Iran
tahere877@yahoo.com
زهره
قرآن نویس
گروه فیزیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج - کرج - ایران
ghoranneviszohreh@gmail.com
10.22055/jrmbs.2018.13965
در این تحقیق نانوساختارهای اکسید تیتانیوم با مورفولوژیهای نانوصفحه و نانولوله با دو روش متفاوت تبخیر شیمیایی و آندایز تشکیل شدهاند و ریخت شناسی و خواص فیزیکی این دو ساختار از جمله ساختار و پاسخ نوری بهترتیب با دستگاههای میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، دستگاه پراش اشعه ایکس (XRD) و دستگاه بازتاب پخشی (DRS) بررسی شدهاست. مشاهده شد که دو مورفولوژی متفاوت از اکسیدتیتانیوم خواص ساختاری و اپتیکی منحصر بهفرد خود را داشته است. این خواص متفاوت فیزیکی از اکسید تیتانیوم میتواند منجر به کاربردهای متفاوتی از این ماده شود. بنابراین با کنترل مورفولوژی اکسیدتیتانیوم با بهکارگیری روشهای متفاوت امکان تغییر خواص فیزیکی و در نتیجه کاربردهای متفاوت خواهد بود.
نانولوله,نانوصفحه,اکسیدتیتانیوم,آندایز,تبخیر شیمیایی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13965.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13965_929ceb495c7ca2a82ba52df4bc8adb9e.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
ساخت نانومیلههای هسته/پوسته ZnO/ZnS به روش آبی- حرارتی و بررسی خواص ساختاری و نوری آنها
171
181
FA
عبدالمحمد
قلمبردزفولی
دانشگاه شهید چمران اهواز
aghalambor@yahoo.com
حدیث
گودرزی
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران اهواز
h.goudarzi.1367@gmail.com
زهرا
صیدالی لیر
عضو هیات علمی گروه فیزیک
z.seidalilir@scu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13958
در این تحقیق، ساخت نانومیلههای ZnO و نانومیلههای هسته/پوستة ZnO/ZnS گزارش شده است. نانوساختارهای حاصل توسط روشهای مختلفی شامل : پراش پرتوی ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، طیفسنج فرابنفش- مرئی (UV-Visible) و طیفسنج فوتولومینسانسی (PL) مورد مطالعه و مشخصهیابی قرار گرفتند. نتایج حاصل از الگوهای XRD برای نانومیلههای اکسید روی ساختار بلوری ورتسایت ششوجهی و برای نانوذرات ZnS رشد یافته روی نانومیلههای ZnO ساختار بلوری بلندروی مکعبی را بهوضوح نشان میدهد. مطالعة ریختشناسی این ساختارها توسط SEM و FESEM قطر را برای نانومیلههای اکسید روی، نانوذرات ZnS و نانومیلههای هسته/پوستة ZnO/ZnS بهترتیب 70، 20 و 120 نانومتر نشان میدهد. طیف جذبی نانومیلههای ZnO/ZnS در مقایسه با نانومیلههای ZnO و نانوذرات ZnS به-وضوح یک جابجایی به سمت طولموجهای بلندتر را برای ساختار هسته/پوسته نشان میدهد. همانطور که پیشبینی شده است، این جابجایی ناشی از کاهش گاف نواری مؤثر ساختار هسته/پوسته میباشد. مطالعات طیف PL نانوساختارها نشان داد که پوششدهی نانومیلههای اکسید روی توسط ZnS باعث کاهش برخی نواقص ساختاری و درنتیجه کاهش تابش مرئی حاصل از آن نقص میشود.
نانومیلة ZnO,نانومیله هسته/پوستة ZnO/ZnS,روش آبی- حرارتی,روش تجزیه حرارتی,نقصهای سطحی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13958.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13958_70a9490413041ba0cdf19835eefe21d2.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
بهبود عملکرد ابزارهای الکترونیکی بر پایه پلی تیوفین به روش مهندسی گاف انرژی در حضور گرافین.
182
198
FA
فرح
مرصوصی
دانشکده فیزیک ، دانشگاه امیرکبیر
marsusi@aut.ac.ir
سیدمصطفی
منوری
گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)، تهران، ایران
smmonavari@aut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13968
نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذرهای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلیتیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهندهی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح میباشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشاندهندهی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ازDFT تغییری را در گاف انرژی پلیمر نشان نمیدهند، در حالی که تغییر گاف انرژی در مجاورت گرافین نسبت به زنجیره منفرد که از نتایج نظریه اختلال بسذرهای G0W0 به دست آمده است چشمگیر است.
تابع کار,ساختار نواری,جذب فیزیکی,چگالی بار الکترونی,دوقطبی الکتریکی,نظریه اختلال بس-ذرهای
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13968.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13968_875a7e67fc0e05944520c4d84a9c3b10.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
پاسخ پلاسمونیکی تنظیم پذیر دیسک های دوتایی متصل به هم بر پایه ی ایندیوم آنتی موناید در بازه ی تراهرتز
199
205
FA
مریم
مریدسادات
گروف نانوفوتونیک-دانشگاه تبریز-تبریز-ایران
maryam.mdst94@ms.tabrizu.ac.ir
سعید
گل محمدی هریس
گروه آموزشی مهندسی نانوفوتونیک و نانوالکترونیک-دانشکده ی فناوری های نوین -دانشگاه تبریز- تبریز -ایران
sgolmohammadi@tabrizu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2018.13941
در این مقاله به صورت عددی خواص نوری ساختار پلاسمونیکی متشکل از آرایهی متناوب دیسکهای دوتایی متصل به هم مبتنی بر نیمههادی ایندیوم آنتیموناید (InSb) به کمک روش تفاضل محدود حوزهی زمان ( FDTD) در بازه تراهرتز بررسی شدهاست. نتایج شبیهسازی نشاندهنده پدیدار شدن دو مد پلاسمونی تراهرتز است که به ترتیب مد پلاسمونی انتقال بار و مد پلاسمونی دو قطبی پیوندی میباشد. مد پلاسمونی انتقال بار ناشی از مسیر ارتباطی رسانای بین دو دیسک و مد پلاسمونی دو قطبی پیوندی ناشی از جفتشدگی پلاسمونها است. نشانداده شدهاست که با تغییر پارامترهای هندسی راه ارتباطی رسانای بین دو دیسک خواص نوری ساختار پیشنهادی قابلیت تنظیمپذیری بالایی دارد. کاهش طول پل ارتباطی بین دو دیسک باعث افزایش شدت میدان الکتریکی حبث شده در فاصلهی بین دو دیسک، و افزایش عرض مسیر ارتباطی به ترتیب باعث کاهش و افزایش دامنهی مد پلاسمونی انتقال بار و مد پلاسمونی دوقطبی پیوندی میشود. ساختار پیشنهادی در بازه 0.1 تا 2.2 تراهرتز حساس به زاویهی پولاریزاسیون نور تابشی است که قابلیت ساختار برای عمل به عنوان سوئیچ حساس به پلاریزاسیون در بازه تراهرتز را نشان میدهد. این ساختار پلاسمونیکی میتواند کاربردهای قابل توجهی در زمینهی امنیت، عکسبرداری و طیف-سنجی در بازه تراهرتز داشتهباشد.
کلیدواژگان: ایندیوم آنتیموناید,پلاسمونیک,تراهرتز,مد پلاسمونی انتقال بار
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13941.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13941_af7ce7d229c9b7fb5dad69b2094147c4.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی
206
217
FA
فرّخ رؤیا
نیکمرام
0000-0002-5037-9114
دانشکده علوم پایه، گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایران
nikmaram87@yahoo.com
مریم
قلیزاده آرشتی
دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایران
m_gholizadeh@stu.yazd.ac.ir
سپیده
کتابی
دانشکده علوم پایه، گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شرق.، تهران، ایران
sepidehketabi@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2018.13969
در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهندة الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرندة الکترون، فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون، با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت)، میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند.
C20 Bowl,استخلاف سیلیکون,ژرمانیم,نظریه تابعی چگالی,گاف انرژی,Voc
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13969.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13969_d1560814b90207fb0bf320373ca578bf.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
8
19
2019
02
20
طراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از نانو فروسیال
218
222
FA
محمد رضا
کازرانی وحدانی
علوم و تحقیقات فارس
rezavahdani@gmail.com
10.22055/jrmbs.2018.13952
در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعهی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصهیابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نوری با طول یکسان وقطرهای مختلف تهیه شدند. اثر قطر فیبر نوری بر خواص حسگر بصورت تجربی مورد بررسی قرار گرفت. فیبر نوری با قطر 4/0 میلیمتر بیشترین حساسیت mT/dbm 0189/0 بیشترین گستره آشکار سازی میدان از mT 5/2 تاmT 125 را نسبت به سایر نمونهها از خود نشان داد. حسگر در حالت بهینهی عملکرد پاسخی خطی و در حدود 99 % را نشان داد.
میدان مغناطیسی,سنسور مغناطیسی,فروفلوید,فیبر نوری,پاسخ خطی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13952.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13952_28b2264149266def3ad3fe53969d0fb2.pdf