دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
مقایسة تابعیهای PBE و HSE06 در محاسبه ساختار نواری الکترونی TiO2
1
15
FA
حسین
اثناعشری ایوری
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه زابل، زابل، ایران
h.asnaashar@gmail.com
سید علی رضا
قاسمی
دانشکدۀ فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی در علوم پایة زنجان، زنجان، ایران
aghasemi@iasbs.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14905
ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعیهای PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترونولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترونولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها بهدست آمد که با مقادیر متناظر تجربی به ترتیب به اندازة 7 و 14 درصد اختلاف دارد. مقایسۀ دو تابعی مذکور در محاسبۀ ساختار نواری الکترونی ساختارهای مختلف TiO2 نشان داد که شکل ساختار نواری محاسبه شده توسط این دو تابعی، حداقل برای ساختارهای بررسی شده در اینجا، مشابه است. مخصوصاً قسمتهای بالایی نوار ظرفیت و قسمتهای پایینی نوار رسانش دقیقاً یکسان هستند. بنابراین نوع (مستقیم یا غیرمستقیم) گاف نواری محاسبه شده با این دو تابعی یکسان خواهد بود. مهمترین تفاوت این دو تابعی در محاسبۀ ساختار نواری، فاصلۀ بین نوارهای رسانش و ظرفیت و بنابراین اندازۀ گاف نواری است. اختلاف گاف محاسبه شده توسط این دو تابعی برای همۀ ساختارهای بررسی شده در اینجا مقدار تقریبا یکسان eV 1.6 است.
TiO2,نظریة تابعی چگالی,ساختار نواری الکترونی,تابعی GGA,تابعی هیبریدی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14905.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14905_9ae75b52769c597389e24be81275f85e.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
ساخت و مشخصه یابی نانوذرات اکسیدآهن و هسته–پوسته اکسید آهن/سیلیکون در حضور سورفکتانت کاتیونی و بهکارگیری آن در بهبود تخریب آفتکش دیازینون در محلولهای آبی
16
28
FA
فاطمه
فرحبخش
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ولی عصر(عج)، کرمان، رفسنجان، ایران
fateme.farahbakhsh199253@gmail.com
مهدی
احمدی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ولیعصر (عج) رفسنجان، رفسنجان، ایران
m.ahmadi@vru.ac.ir
سیده هدی
حکمت آراء
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ولی عصر(عج)، کرمان، رفسنجان، ایران
h.hekmatara@vru.ac.ir
علی
علیزاده
گروه’گیاه پزشکی ، دانشکده کشاورزی، دانشگاه ولی عصر(عج)، کرمان، رفسنجان، ایران
a.alizadeh@vru.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14911
در این مقاله، روشی موثر در حذف آفتکش دیازینون از محلول های آبی با استفاده از نانوذرات اکسید آهن ارئه خواهد شد. به همین منظور، نانوذرات اکسیدآهن (Fe3O4) به روش هیدروترمال اصلاح شده سنتز و بعد از آن SiO2 به عنوان پوسته به روش اولتراسونیک بر روی آن قرار داده شد. نانوذرات به دست آمده با استفاده از پراش پرتوx (XRD)، تبدیل فوریه مادون قرمز (FT-IR)، مغناطش سنج نمونه ارتعاشی (VSM)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) مشحصهیابی شد. که الگو پراش پرتو X ساختار اسپینل معکوس نانوذرات، منحنی پسماند نمونه اکسید آهن خالص مقدار مغناطش اشباع emu⁄(g ) 74 و برای هسته- پوسته مقدار مغناطش اشباع emu⁄g 42را نشان داد که نتایج به دست آمده خاصیت ابرپارامغناطیس نانوذرات را تایید میکنند. همچنین نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی عبوری نشان دهنده تشکیل این پوسته بر روی نانوذرات اکسیدآهن میباشد. در نهایت از این نانوذرات برای تخریب آفتکش دیازینون در محیط های آبی با غلظتهای مختلف مورد استفاده قرار گرفت و همچنین برای بهبود تخریب دیازینون از Cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) به عنوان سورفکتانت آلی کاتیونی استفاده شد.
دیازینون,اکسیدآهن,سورفکتانت کاتیونی,نانوذرات معناطیسی,سیلکون
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14911.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14911_77eda54241a44038374a27222f491593.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
گذار فاز دینامیکی در مدل اسپینی n-خوشهای
29
39
FA
سعید
انصاری
0000-0003-2018-2764
گروه علوم مهندسی و فیزیک، مرکز آموزش عالی فنی و مهندسی بوئینزهرا، بوئینزهرا، ایران
ansari@bzte.ac.ir
روح الله
جعفری
0000-0003-0904-0538
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان، ایران
rohollah.jafari@gmail.com
10.22055/jrmbs.2019.14922
در این مقاله رفتار دینامیکی زنجیره اسپینی با برهمکنش خوشهای، که تحت تأثیر میدان مغناطیسی عرضی است، را در اثر تغییر ناگهانی میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار میدهیم. این سیستم با استفاده از تبدیلات جردن-ویگنر دارای حل دقیق است. در این مقاله نشان میدهیم که اگر تفییرات میدان مغناطیسی به گونه ای باشد که مقدار اولیه و نهایی آن در دو فاز تعادلی مختلف باشند، تابع نرخ حتمال بازگشت در دوره های زمانی متناوب واگرا می شود که این واگرایی در زمان، گذار فاز دینامیکی نامیده میشود. در صورتی که تغییر میدان در فاز یکسان انجام شود، گذار فاز دینامیکی رخ نمیدهد. همچنین بررسی خطوط صفرهای فیشر نشان می دهد که در صورت بروز گذار فاز دینامیکی خطوط صفرهای فیشر محور موهومی را قطع خواهند کرد.
گذار فاز,مدل n-خوشهای,دینامیک کوانتومی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14922.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14922_2ce517a47d78cc092abc8c812ba0afc5.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
مطالعه تاثیر نقص ساختاری بر خصوصیات مکانیکی و الکترونی بورفینβ_12
40
48
FA
رعنا
علیزاده
گروه فیزیک، آزمایشگاه محاسباتی نانو، دانشکده علوم، دانشگاه گیلان، ایران
ranaalizadeh72@yahoo.com
سحر
ایزدی ویشکایی
گروه فیزیک، آزمایشگاه محاسباتی نانو، دانشکده علوم، دانشگاه گیلان، ایران
izadi.123@gmail.com
میثم
باقری تاجانی
0000-0001-7065-3195
گروه فیزیک، آزمایشگاه محاسباتی نانو، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه گیلان، ایران
m_bagheri@guilan.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14904
بورفین ساختار دو بعدی بورن است که خود نیز تنوع ساختاری بسیار زیادی دارد. در این مقاله ساختار بورفین β_12 و خواص مکانیکی و الکترونی آن مورد بحث قرار میگیرد. بورفین β_12 یک ساختار مکعب مستطیلی با تعداد 5 اتم در سلول واحد میباشد. در این مقاله خواص مکانیکی و الکترونی ورقۀ بورفین بدون نقص و ورقۀ بورفین دارای دررفتگی با کمک نظریۀ تابعی چگالی مورد مطالعه قرار میگیرد و کرنش بحرانی و تنش نهایی ساختار محاسبه میشود. مقدار کرنش بحرانی در راستای x برابر با 18% و تنش نهایی آن N/m87/18 شد که این مقدار حداکثر کششی است که جسم مورد نظر میتواند تحمل کند و مقدار کرنش بحرانی برای راستای تک محوری y و دو محوری x-y به ترتیب برابر 10% و 12% و تنش نهایی آن ها نیز N/m 82/14و N/m 46/17به دست آمدند. همچنین ضریب یانگ در راستای x برابر با N/m 180 و در راستای y برابر باN/m 203 محاسبه شدند. بررسی ما نشان می دهد که دررفتگی باعث کاهش قابلیت مکانیکی میشود و این کاهش به نوع و مکان اتم حذف شده به شدت وابسته است.
محاسبات اصول اولیه,بورفین β_12,کرنش بحرانی,تنش نهایی,ضریب یانگ
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14904.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14904_17469e2cc710fc30905c8ed369f1ec40.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوبدهی بخار شیمیایی
49
58
FA
مریم
برزگر
پژوهشکده علوم وفناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران
maryambarzegar1985@gmail.com
اعظم
ایرجی زاد
ریاست پژوهشکده علوم وفناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف
iraji@sharif.ir
10.22055/jrmbs.2019.14910
خواص الکترونیکی جالب و ویژگیهای کاتالیستی چندلایههای دوبعدی MoS2امروزه توجه محققان را به خود جلب کرده است. در این مقاله سنتز نانوپوسههای MoS2 ایستاده روی زیرلایه SiO2/Si در فرآیند سولفید شدن سریع به روش رسوب بخار شیمیایی، گزارش شده است. مشخصهیابی مواد با استفاده از طیفسنجی رامان، XRD و FE-SEM انجام گردید. نتایج XRD نشان دهنده فاز غالب 2H-MoS2 و فاصله دو پیک برجستهی E12g و A1g در پراکندگی رامان، ضخامت 6 تا 10 لایه اتمی برای پوسهها را تصدیق میکند. با توجه به دادههای تجربی، مکانیزم رشد را بر اساس دانهبندی و رشد دوبعدی و در مرحله بعدی بهم پیوستن جزایر دوبعدی و در مرحله نهایی رشد پوسهای ایستاده بهم متصل معرفی کردهایم. این ساختارهای ایستاده که سایتهای فعال زیادی در لبهها دارند کاربردهای بالقوه و امیدوار کنندهی بسیاری در ترانزیستورهای ظریف، حسگرهای گاز و واکنشهای کاتالیستی خواهند داشت.
مواد دوبعدی,دیکالکوژن فلزات واسطه (TMDCs),نانوپوسههای MoS2,روش رسوبدهی بخار شیمیایی (CVD)
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14910.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14910_0043c7ff9b3b432533150da996d779c8.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
مطالعه ی گذار فلز به عایق در نانو لوله گرافنی نقص دار با اعمال میدان الکتریکی : رهیافت آشوب کوانتومی
59
68
FA
سهراب
بهنیا
0000-0001-6794-6560
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی ارومیه، ارومیه، ایران
s.behnia@sci.uut.ac.ir
فاطمه
رحیمی
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی ارومیه، ارومیه، ایران
fraban.83@gmail.com
10.22055/jrmbs.2019.14914
گذار فلز به عایق در یک نانو لوله ی تک جداره گرافنی در حضور ناکاملی ها با استفاده از تئوری آشوب کوانتومی بر مبنای هامیلتونی تنگ بست مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که اعمال میدان الکتریکی در امتداد محور نانو لوله نقص دار موجب گذار از فاز رسانا به عایق می شود. با استفاده تحلیل طیف انرژی و تحلیل مولتی فرکتالی، مقدار آستانه ی میدان الکتریکی برای بروز پدیده گذار تعیین شد. نتایج بیانگر آن است که نانو لوله نقص دار در غیاب میدان الکتریکی رفتار فلزی از خود نشان می دهد. با افزایش تدریجی میدان الکتریکی ، تابع توزیع ترازی از حالت ویگنری (گسترده) به تابع توزیع پواسونی (جایگزیده) تبدیل می شود طوریکه به ازای مقدار آستانه میدان الکتریکی، سیستم کاملا به صورت پوا سونی رفتار می کند.
گذار فلز به عایق,نانولوله گرافنی,نا کاملی,میدان الکتریکی,تئوری آشوب کوانتومی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14914.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14914_5b4ab242169ec068f57b98832f867918.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
تاثیردمای بازپخت برروی ویژگی های نانو ساختاری، مورفولوژی و نوری لایه های اکسید نیکل تهیه شده توسط اکسیژن دهی حرارتی لایه های نیکل انباشتی به روش تبخیر باریکه الکترونی
69
82
FA
فاطمه
حاج اکبری
0000-0002-2613-8644
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج، ایران
fatemeh.hajakbari@gmail.com
10.22055/jrmbs.2019.14921
در این تحقیق،ابتدا لایه های نازک نیکل با روش تبخیر باریکه الکترونی تحت شرایط انباشت یکسان بر روی زیرلایه های سیلیکان و کوارتز لایه نشانی شده و سپس تحت فلوی اکسیژن در دماهای متفاوت C° 700-400 در کوره الکتریکی بازپخت حرارتی شدند. تاثیر دمای بازپخت بر روی ویژگی های ساختاری، مورفولوژیکی و نوری نمونه ها به ترتیب با آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ نیروی اتمی(AFM) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)و طیف سنجی فرابنفش - مرئی بررسی شده است. نتایج آنالیز XRD نشان داد که فاز بلوری نیکل در دمای بازپخت C° 400 ایجاد شده است و با افزایش دما از C° 500 تا C° 700 فازهای بلوری اکسید نیکل قابل مشاهده هستند. تصویرهای AFM و SEM نیز نشان می دهند که دمای بازپخت مورفولوژی و زمختی سطح لایه ها را قویا تحت تاثیر خود قرار داده و با افزایش دمای بازپخت اندازه دانه ها افزایش یافته است. همچنین بااستفاده از داده های عبوری لایه های اکسید نیکل انباشتی بر روی زیر لایه کوارتز مقادیر گاف انرژی لایه های اکسید نیکل محاسبه شده اند.
لایه های نازک,نیکل,اکسید نیکل,تبخیر باریکه الکترونی,بازپخت حرارتی,نانو بلورک ها
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14921.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14921_dc90f9b10fb7c547e8d4be6f84edcb93.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
بررسی خصوصیات پلاسمونی موجبر نانونوارگرافینی قرارگرفته بر بورنیترید ششگوشی و زیرلایه در ناحیة فروسرخ میانی
83
93
FA
محمد
صبائیان
0000-0003-4442-334X
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
sabaeian@gmail.com
یاسر
حاجتی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
yaserhajati@gmail.com
زینب
زنبوری
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
zzanbouri@gmail.com
10.22055/jrmbs.2019.14907
در این مقاله، ویژگیهای موجبری نانونوار گرافینی قرار گرفته بر بورنیترید ششگوشی و یک زیرلایه بررسی شدهاند. بهطور مشخص، وابستگی خصوصیات مدهای پلاسمونی شامل بخش حقیقی ضریب شکست مؤثر، طول انتشار و ضریب عملکرد ساختار به بسامد، انرژی فرمی گرافین و جنس زیرلایه در ناحیة فروسرخ میانی بررسی شده است. نتایج حاصل از شبیهسازیهای نشان میدهند که موجبر نانو نوارگرافینی در طولموجهای فروسرخ میانی بهشدت به تغییر بسامد و انرژی فرمی گرافین و هندسة ساختار حساس میباشد. همچنین طول انتشار برای انرژی فرمی (9/0) 3/0 الکترون ولت در بازۀ بسامدی 1375 تا 1600 از مقدار (4/0) 1/0 میکرومتر به مقدار (15/4) 38/0 میکرومتر میرسد که نشاندهنده افزایش حدود (10) 3 برابری است.
گرافین,پلاسمونیک,موجبر
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14907.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14907_da87fd36eee1c4de88cd0c2d18a747a5.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
شبیهسازی ذرهای تأثیر میدان مغناطیسی قوی بر باردارشدن ذرات غبار در شرایط پلاسمای همجوشی دیوارههای توکامک
94
105
FA
هادی
داوری
بخش اتمی مولکولی (گروه پلاسما)، دانشکده فیزیک، پردیس علوم پایه، دانشگاه اراک، اراک، ایران
h_davary@yahoo.com
بیژن
فرخی
بخش اتمی مولکولی (گروه پلاسما)، دانشکده فیزیک، پردیس علوم پایه، دانشگاه اراک، اراک، ایران
b-farokhi@araku.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14919
با استفاده از روش ذره در سلول رفتار پلاسمای غبارآلود در شرایط پلاسمای همجوشی دیوارههای توکامک و تأثیر میدان مغناطیسی بر فرآیند باردارشدن ذرات غبار توسط ذرات پلاسما شبیهسازی و موردبررسی قراردادیم. واکنش برخوردی الکترونها با ذرات پلاسما و غبار شامل یونیزاسیون، برانگیختگی و برخورد کشسان فرض کردیم. تأثیر تفاوت در چگالی اولیه پلاسما و میدان مغناطیسی متفاوت شبیهسازی و نتایج آنها باهم مورد مقایسه قرار گرفت. در فرآیند باردارشدن ذرات غبار زمان رسیدن به حالت اشباع و میزان بار اشباع متفاوت به دست آمد. همچنین مشاهده شد که افزایش میدان مغناطیسی لزوماً به معنای افزایش بار الکتریکی ذرات غبار و یا کاهش زمان رسیدن به حالت اشباع نیست. یافتن حد این میدان که مطمئناً به خصوصیات فیزیکی پلاسما بستگی دارد میتواند در برخی از مسائل مثلاً در شرایط پلاسمای همجوشی و آزمایشگاه مفید و راه گشا باشد. برخی از محدودیتهای مدلهای نظری فعلی در برهمکنش غبار و پلاسما و شکاف در رویکردهای تجربی و نظری کنونی در مطالعه غبار در دستگاههای همجوشی توضیح دادهشده است. همچنین نتایج این شبیهسازی میتواند در مدلهای شبیهسازی آینده که در رابطه با ترابرد ذرات غبار و تأثیر آن بر کل پلاسما تمرکز دارد مورداستفاده قرار گیرد.
پلاسمای غبار آلود,روش ذره در سلول,میدان مغناطیسی خارجی,همجوشی,دیواره توکامک
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14919.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14919_e99389184636d886b74bd6534ec71207.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
فازهای عایق توپولوژیکی و کانال های خط صفر در گرافین
106
113
FA
زینب
رشیدیان
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه لرستان، لرستان، ایران
rashidian1983z@gmail.com
امین
صالحی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه لرستان، لرستان، ایران
salehi.a@lu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14906
فازهای توپولوژیکی را میتوان در گرافین تک لایه ودو لایه با حضور جفت شدگی اسپین – مدار و پتانسیل خارجی ایجاد کرد. در این کار ویژگیهای مختلف کانالهای خط صفر یک بعدی فلزی را در اتصالهای گرافینی تک لایه و دو لایه بررسی میکنیم. در واقع اتصالهای گرافینی بین نواحی با نظم توپولوژیکی مختلف میباشد. برای تحقیق چگونگی پیدایش کانالهای خط صفر یک بعدی، از روش هامیلتونین بستگی قوی استفاده میکنیم. با توجه به حالت های حاصل شده، تعداد کانالهای یک بعدی فلزی در اتصالهای با لبههای مختلف، متفاوت است که این نتیجه میتواند به عنوان مشخصهای برای تشخیص مواد تک لایه و دو لایه گرافینی از هم و همچنین روشی برای تمیز دادن نوع لبهها (زیگزاگ یا صندلی شکل) از هم میباشد.
گرافین,زیگزاگ,صندلی شکل,جفت شدگی اسپین مدار,فاز توپولوژیکی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14906.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14906_11ad66dfe32d175db9fe2fda6e403f64.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
تاثیر جفت شدگی اسپین مدار بر خواص الکترونی حلقههای کوانتومی دو بعدی
114
120
FA
قاسم
رضایی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یاسوج، یاسوج، ایران
grezaei@yu.ac.ir
سحر
حبیبی نسب
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یاسوج، یاسوج، ایران
sahar_habibi69@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2019.14903
در این مقاله، یک حلقهی کوانتومی را در نظر گرفته و سپس ترازهای انرژی آن تحت تأثیر میدانهای الکتریکی و مغناطیسی خارجی و در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا و درسل هاوس مورد بررسی قرار میگیرد. بدین منظور، ابتدا هامیلتونی سیستم را در حضور جفت شدگی اسپین مدار و در حضور میدانهای الکتریکی و مغناطیسی خارجی نوشته و سپس با استفاده از روش قطریسازی، ویژه مقدارهای انرژی سیستم را محاسبه کرده و تاثیر میدانهای خارجی و پهنای حلقه را بر ویژه مقادیر انرژی سیستم مطالعه میکنیم. نتایج بهدست آمده نشان میدهد که برهمکنش اسپین مدار، میدانهای خارجی و پهنای حلقه تاثیر قابل توجهی بر ترازهای انرژی سیستم دارند
حلقههای کوانتومی,برهمکنش اسپین مدار,میدانهای خارجی,روش قطری سازی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14903.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14903_8c73eb1fca52620275bbf5204ff0bdd0.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
مطالعه نظری خواص ساختاری، الکتریکی و نوری نانوکلاسترهایBen@C20 (n=1-6)
121
134
FA
زهره
خواجه علی
گروه شیمی -دانشکده علوم- دانشگاه لرستان خرم آباد ایران
khajeali.zo@fs.lu.ac.ir
حمیدرضا
شاملویی
گروه شیمی دانشکده علوم دانشگاه لرستان خرم آباد ایران
shamlouei.ha@lu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14909
دراین تحقیق، خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فولرن C20همراه تعداد متفاوت از اتم های بریلیوم (Be) متصل برروی سطح آن بررسی شده است. نتایج نشان داد که پایداری نانوخوشهها با اضافهکردن تعداد اتمهای بریلیوم افزایش یافت و با افزایش تعداد اتم بریلیوم در اطراف C20، گاف HOMO-LUMO عموماً کاهش یافت ولی بیشترین کاهش در گاف انرژی (Eg) در دو ساختار Be4@C20-trans و Be6@C20 با گاف انرژی 69/0 و 49/0 دیده شد. همچنین خواصی مانند پتانسیل یونیزاسیون (I)،وابستگی الکترون (A)، پتانسیل شیمیایی (μ)،سختی کل (η)،نرمی کل (γ) ،الکتروندوستی (ω) و الکترونگاتیویته(χ) به عنوان خواص الکتریکی محاسبه شد. قطبشپذیری (α) و اولین فراقطبشپذیری (β0) که به ترتیب به خواص نوری خطی و غیرخطی (NLO) مربوط می شوند، محاسبه شد. مقدار اولین فراقطبشپذیری در نتیجه جذب 6 اتم بریلیوم روی سطح C20دیده افرایش قابل توجهی بزرگتر از (1000000<β0) را نشان میدهد. نتایج این مطالعه ممکن است برای طراحی و ساخت نانو مواد با خواص الکتریکی قابل تنظیم، مورد استفاده قرار گیرد.
گاف HOMO-LUMO,نانوخوشههای Ben@C20 (n=1-6),خواص نوری غیرخطی (NLO),اولین فراقطبش پذیری (β0)
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14909.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14909_23398f31d1fec71efbe94bc7f7fadc47.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
توصیفگر اتمی کولنی برای کاربست در یادگیری ماشین در ماده چگال
135
144
FA
اکرم
زرندی
گروه فیزیک سامانههای پیچیده و زیستی، دانشکدۀ فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
zarandi.akram@gmail.com
علی
صادقی
0000-0002-0791-6674
گروه فیزیک سامانههای پیچیده و زیستی، دانشکدۀ فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
ali_sadeghi@sbu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14920
هدف دستهای مهم از رهیافتهای یادگیری ماشین، پیشبینی یک برچسب یا مقدار یک کمیت بر اساس مجموعهای از دادههای ورودی است (مثل تشخیص دادن یک چهره در پیکسلهای یک تصویر). به عنوان نمونهای از کاربرد چنین روشهایی در فیزیک ماده چگال محاسباتی، نشان میدهیم که چگونه میتوان سهمهای اتمی از یک کمیت فیزیکی را بر مبنای آرایش همسایههای آن اتم پیشبینی کرد. برای کمّی کردن محیط پیرامون یک اتم، توصیفگری معرفی میکنیم که از طیف ویژه مقادیر ماتریس تقریبی کولن ساخته میشود. این توصیفگر نسبت به چرخش یا انتقال صلب مولکول و نیز جایگشت شمارۀ ترتیب اتمهای آن ناورداست و تغییرات ظریف ساختاری، از جمله تغییر زاویة دوسطحی که یک کمیت چهارجسمی است، را تشخیص میدهد. در قالب یک مثال کاربردی نشان میدهیم که با بهرهگیری از این توصیفگر در فرآیند یادگیری، بار الکتریکی روی انواع مختلف اتمها در یک مولکول با خطایی کمتر از یک دهم بار الکترون قابل پیشبینی است.
توصیف پیرامون اتم,یادگیری ماشین,بار اتمی,ماتریس کولن
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14920.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14920_3796b57d309cc8ab70230786bfb1af1e.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
شبیهسازی روش هیبریدی تولید پوزیترون،بر اثر تابش کانالی صفحهای و محوری الکترونهای نسبیتی
145
154
FA
حمداله
صالحی
0000-0001-8042-0694
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
salehi_h@scu.ac.ir
مریم
شفیعی سروستانی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
maryamshafeei67@yahoo.com
بهنام
آزادگان
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار، ایران
azadegan@hsu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14908
در این مقاله روش هیبریدی تولید پوزیترون، که در آن از تابش کانالی الکترونهای نسبیتی بر اثر عبور از صفحات و محورهای مختلف بلورهای تنگستن استفاده میشود، مورد بررسی قرار گرفته است. طیف تابش کانالی از صفحات و محورهای مختلف بلورهای Si، C، Ge وWبا اعمال تقریب دویلی ـ تورنر برای پتانسیلهای پیوستۀ صفحات و محورها محاسبه شده است. همچنین وابستگی طیف تابش کانالی به زاویۀ فرودی الکترونهای نسبیتی با صفحات و محورهای بلور، بررسی شده است. با برخورد تابش کانالی با هدف غیربلورین تنگستنی، بر اثر پدیدۀ تولید زوج، پوزیترون تولید میشود. شبیه-سازی فرآیند تولید تابش کانالی به کمک کد نوشته شده به زبان برنامهنویسی متمتیکا انجام شده است که طیف انرژی فوتون-های تولیدی از الکترونهای کانالی را محاسبه میکند. همچنین در تکمیل تحقیقات قبلی، از کد GEANT4بهمنظور شبیهسازی فرآیند تولید زوج در هدف غیربلورین تنگستنی استفاده شده است. نتایج این کار با نتایج دیگران از تطابق خوبی برخوردار است.
پوزیترون,تابش کانالی,الکترونهای نسبیتی,بلور و فوتون
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14908.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14908_9688a7f371f8fbdd4295c5adc23ba01f.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
محاسبه ی تراز انرژی یون های میونی dHeμ و pHeμ با استفاده از یک روش تحلیلی - عددی
155
163
FA
فاطمه
خوشخوی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه خلیج فارس، بوشهر 75169، ایران
15267fkh@gmail.com
محمد
محمدی
0000-0002-8057-237X
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه خلیج فارس، بوشهر 75169، ایران
phymohammadi@gmail.com
روح اله
قیصری
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه خلیج فارس، بوشهر 75169، ایران
gheisari@pgu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14912
در مقاله حاضر با استفاده از یک تابع موج آزمایشی به بررسی سیستم های سه جسمی dHeμ و pHeμ در روش وردشی پرداخته شده است. برهمکنش حاکم بر اجزاء یونها کولنی بوده و در دستگاه مختصات فوق کروی بررسی شدهاند. در این روش، ابتدا تابع موج سیستم، بر حسب قسمتهای فوق زاویهای و فوق شعاعی جداسازی شده و سپس به حل معادله شرودینگر پرداخته شده است. ویژه مقادیر انرژی یونها محاسبه شده و درنهایت نتایج حاضر با داده های در دسترس مقایسه شدهاند. با استفاده از تابع موج بدست آمده و انرژی حاصل می توان سایر پارامترهای ساختاری همچون اندازه هسته را بدست آورد، که این امر نیز انجام شده است. نتایج انرژی حاصل از این کار برای مولکولهای pHeμ و dHeμ به ترتیب برابر با 021/73- و 728/76- می باشد. درصد خطای نسبی نتایج کار با کارهای دیگران به ترتیب برای مولکول pHeμ کمتر از135/1 % و برای مولکول dHeμ کمتر از 1% می باشد.
انرژی حالت پایه,یون dHeμ,یون pHeμ,روش تحلیلی,روش عددی,اندازه هسته
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14912.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14912_a9a826902ae2df7bb62d2b0b4899a1dc.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
درهمتنیدگی گرمایی بین دواتم دوترازه جفت شده دربرهم کنش دو فوتونی غیرتبهگن با جفتگر کر غیرخطی هم محور
164
175
FA
بشیر
مجاوری
0000-0003-2862-9516
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز،ایران
bmojaveri@azaruniv.ac.ir
علیرضا
دهقانی
0000-0002-4090-0711
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه پیام نور،تهران،ایران
adehghani@pnu.ac.ir
محمد علی
فصیحی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران
a.fasihi@azaruniv.ac.ir
تورج
محمدپور
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران
t.mohammadpour@azaruniv.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14917
دراین مقاله،هامیلتونی یک مدل، شامل برهمکنش دو اتم دو ترازه با یک جفتگر کر غیرخطی هم محور از طریق گذار دوفوتونی غیرتبهگن رامان معرفی شده است. فرض می شود که برهمکنش اتمها بصورت دوقطبی-دوقطبی بوده و همچنین کل سامانه با یک منبع گرمایی در تعادل گرمایی می باشد. عملگر تعداد برانگیختگی کل به عنوان ثابت حرکت سامانه، تجزیه فضای هیلبرت سامانه را به جمع مستقیم زیرفضاهای ناوردا فراهم می سازد. درنتیجه، هامیلتونی سامانه بصورت یک ماتریس بلوک قطری درمی آید. با قطری کردن هر کدام از بلوکها ویژه مقادیر و ویژه توابع هامیلتونی را محاسبه می کنیم. سپس حالت گرمایی سامانه را در فضای هیلبرت کل و هر کدام از زیرفضاهای برانگیخته بدست می آوریم. با استفاده از سنجه تلاقی، میزان درهمتنیدگی گرمایی بین اتمها را در فضای کل و زیرفضاهای آن محاسبه می کنیم. نهایتا تاثیر دما و پارامترهای سامانه را بر میزان درهمتنیدگی مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که در زیرفضاهای برانگیخته فرد، حالتهای درهمتنیده ی اتمی در مقابل افزایش دما مقاوم بوده و ثابت می مانند.
جفتگر غیرخطی هم محور,درهمتنیدگی گرمایی,مدل جینز-کامینگز,سنجه تلاقی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14917.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14917_188777ada17d0924811a21018e203d19.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
اثر نوفه بر فیدلیتی دوربری کوانتومی بواسطه کانال همدوس درهمتنیده
176
186
FA
سودا
میرزائی
0000-0002-4058-1925
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران
s.mirzaei@sut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14918
دوربری کوانتومی، انتقال و بازسازی حالت یک سیستم کوانتومی در فاصلههای دلخواه میباشد. از آنجاییکه امکان انتقال اطلاعات کوانتومی یکی از پدیدههایی است که منجر به ظهور زمینههای علمی جدید نظیر ارتباطات کوانتومی و محاسبات کوانتومی شده است، لذا در این مقاله دوربری کوانتومی یک کیوبیت توسط یک کانال درهمتنیده بررسی خواهد شد. برای این منظور از حالت همدوس درهمتنیده دو مده که به واسطهی شکافنده باریکه و محیط کر تولید شده، استفاده خواهیم نمود. نشان داده خواهد شد میزان درهمتنیدگی و همینطور فیدلیتی دوربری کوانتومی وابسته به شدت دامنه حالت همدوس میباشد بطوریکه هرگاه شدت دامنه حالت همدوس به شدت افزایش یابد (p→0)، درهمتنیدگی و فیدلیتی میانگین بیشینه خواهد شد، F_max=1. از طرفی با توجه به اینکه سیستمهای فیزیکی واقعی همواره تحت تاثیر محیط اطراف خود قرار می گیرند، لذا بررسی اثرات محیط به عنوان یک منبع اتلاف کوانتومی بر میزان درهمتنیدگی و همچنین فیدلیتی بسیار مهم خواهد بود. در این مقاله اثرات میرایی دامنه بر میانگین فیدلیتی دوربری کوانتومی مورد بررسی قرار گرفته خواهد شد. نتایج نشان میدهد که با افزایش دامنه میرایی، فیدلیتی کاهش مییابد. به علاوه شدت افت فیدلیتی، بواسطه کانالهای با بیشترین درهمتنیدگی نسبت به کانالهای با درهمتنیدگی غیر بیشینه بیشتر است.
درهمتنیدگی,دوربری کوانتومی,فیدلیتی,میرایی دامنه,شکافنده باریکه,محیط کر,حالت همدوس
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14918.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14918_bc3ff524f028ffe4d5e946c7e6ee66cc.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
9
3
2019
11
22
تصحیح تابشی انرژی کازیمیر برای میدان اسکالر با شرط مرزی مخلوط در 1+3 بعد
187
201
FA
مددعلی
ولوئیان
0000-0002-8059-0375
گروه فیزیک، واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران
m-valuyan@sbu.ac.ir
10.22055/jrmbs.2019.14916
در این مقاله، مرتبه صفرم و مرتبه اول از تصحیح تابشی انرژی کازیمیر برای میدان اسکالر محدود شده با شرط مرزی مخلوط (دیریکله-نیومن) بین دو صفحه موازی در 1+3 بعد محاسبه شده است. دو نکته در فرایند انجام این محاسبه قابل توجه است. یکی از این نکات، استفاده از یک برنامه بازبهنجارش متفاوت و البته سازگار با شرایط مرزی حاکم بر مساله است. در این برنامه بازبهنجارش جهت دستیابی به پارامترهای فیزیکی موجود در لاگرانژی از کانترترمهای سازگار با شرط مرزی و البته وابسته به مکان استفاده می شود. نکته دیگر در فرایند این محاسبه، استفاده از روش منظم سازی کم کردن جعبه ها است. در روش منظم سازی کم کردن جعبه ها، مشابه با ساختار اصلی یک ساختار دیگر در نظر گرفته می شود و اختلاف انرژی های خلا مربوط به این دو ساختار در حدهای مناسب محاسبه می شود. این امر موجب می شود واگراییهای دخیل در محاسبات بنحو شفاف و روشنی یکدیگر را حذف نمایند. پاسخ های بدست آمده برای هر دو مرتبه انرژی کازیمیر در نمودارهای مختلف رسم شده و این نمودارها نشان می دهند که سازگاری مناسب و فیزیکی در پاسخها وجود دارد.
انرژی کازیمیر,بازبهنجارش,شرط مرزی,منظم سازی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14916.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14916_6658638c59512444eaeaa036d96c2d96.pdf