دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
پیشیابی و بررسی خواص ساختاری و الکترونوری نانو ساختار دوبعدی سولفور دی فسفید ژرمانیوم به روش نظریه تابع چگالی
1
12
FA
حمیدرضا
البرزنیا
0000-0003-0397-1198
گروه فیزیک، مرکز علومپایه، دانشگاه پدافند هوایی خاتمالانبیاء (ص)، تهران، ایران
alborznia_ham@yahoo.com
شیرین
امیریان
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه، کرمانشاه، ایران
shirin_amirian3200@yahoo.com
سید تقی
محمدی
0000-0001-8901-9311
گروه فیزیک، مرکز علومپایه، دانشگاه پدافند هوایی خاتمالانبیاء (ص)، تهران، ایران
s.t.mohamadi@gmail.com
10.22055/jrmbs.2021.17265
در این مقاله، نانو ساختار دوبعدی جدیدی به نام سولفور دی فسفید ژرمانیوم (GeP2S) مبتنی بر نظریۀ تابعی چگالی پیشیابی شده است. علاوه بر بررسی پایداری استاتیکی و دینامیکی، خواص ساختاری این تک لایه دوبعدی نیز با ساختارهای مشابه پیشین مقایسه گردیده است. یافتههای تحقیق مبین پایداری قابل قبول تک لایۀ پیشنهادی نسبت به ساختارهای مشابه میباشد. جنبههای الکترونی این تک لایه در حالت بهینه با دو روش تقریب تابع هیبریدی HSE06)) و تقریب شیب تعمیمیافته (GGA-PBE) بررسی و ارائه گردیده است. بررسی خواص الکترونی این نانوساختار را به عنوان یک نیمرسانای غیرمستقیم با گاف انرژی 367/1 الکترونولت با تقریب HSE06 و 688/0 الکترونولت با روش تقریب PBE-GGA معرفی مینماید. مطالعۀ خواص نوری از قبیل تابع دی الکتریک مختلط، جذب، بازتابش و همچنین چگالی حالت های مشترک نوری توافق گاف نوری با گاف الکترونی این تک لایۀ دوبعدی را به ویژه در روش تقریب HSE06 نشان می دهد. همچنین با استناد به یافتههای نظری این تحقیق، باتوجه به میزان جذب نسبتاً بالا و بازتاب بسیار کم در ناحیۀ طیف مرئی در محدوده 1 الی 5 الکترون ولت، در صورت سنتز این نانوساختار پیشنهادی را می توان برای کاربردهای نوری بهویژه در دستگاههای انرژی خورشیدی مناسب دانست.
نظریۀ تابعی چگالی,تک لایۀ سولفور دی فسفید ژرمانیوم (GeP2S),نانوساختار دوبعدی,خواص الکترونی,خواص نوری
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17265.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17265_8d49964c4ac036c124e0333582a37c2c.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
کمیت های ترمودینامیکی و سطح مقطع باقی مانده تبخیر ایزوتوپهای فوق سنگینg 272Ds and 273Rبا استفاده از مدل سیستم های دوهسته ای
13
25
FA
محمدرضا
پهلوانی
0000-0002-7972-8787
گروه فیزیک هستهای، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران
m.pahlavani@umz.ac.ir
مانا
معصومی دینان
گروه فیزیک هستهای، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران
mana68dinan@gmail.com
10.22055/jrmbs.2021.17266
دراین پژوهش با استفاده از مدل سیستم دوهسته ای (DNS) سطح مقطع باقیمانده تبخیر دو واکنش همجوشی سرد 64Ni+208Pb و 64Ni+209Bi محاسبه شده است. پتلنسیل هسته ای مورد استفاده در این روش پتانسیل پراکسیمیتی می باشد. در محاسبات انجام شده در این پژوهش، کمیت های ترمودینامیکی هسته های مرکب از قبیل دما و ظرفیت گرمایی با استفاده از تئوری گینزبرگ لاندائو و مدل جابجایی گاز فرمی وابسته به دما بدست آمده اند. نتائج بدست آمده با نتائج تجربی و نتائج تئوری حاصل از روش دیگر مقایسه شده است. همچنین نمودار ظرفیت گرمایی بر حسب دما شکل S مانندی دارد که نشاندهنده شکسته شدن جفت های نوکلئونی است.
ظرفیت گرمایی,هسته های فوق سنگین,دما,سطح مقطع
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17266.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17266_1adf0585b996e7729b69782d293ca703.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
یکسوساز نوری مبتنی بر نقطه کوانتومی و بررسی عوامل مؤثر بر آن
26
36
FA
پریناز
حسین پور
0000-0002-0547-9968
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه صنعتی سهند، شهر جدید سهند، تبریز، ایران
phosseinpour@sut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2021.17267
در این مقاله، نشان داده شده است که نقطه کوانتومی قرص شکل که با ناخالصی گاوسی آلاییده شده، میتواند بعنوان یک یکسوساز نوری عمل کند. وجود همزمان ناخالصی و اعمال میدان الکتریکی خارجی در نقطه کوانتومی سبب میشود که ساختار نامتقارنی داشته باشد. این نقطه کوانتومی نامتقارن، ساختاری میباشد که خواص نوری غیرخطی قابل توجهی از جمله یکسوسازی نوری را نشان میدهد. همچنین نشان داده شده است که میزان یکسوسازی نوری میتواند توسط میدان خارجی و پارامترهای ناخالصی گاوسی (قدرت، طول میرایی و مکان ناخالصی در نقطه کوانتومی) کنترل شود. نتایج محاسبات عددی نشان میدهند که میزان یکسوسازی نوری در نقطه کوانتومی آلاییده شده با ناخالصی نوع دافع قویتر از مورد ناخالصی نوع جاذب می-باشد. بعلاوه، مطالعه تأثیر قدرت و جهت میدان الکتریکی اعمال شده بر روی یکسوسازی نوری نشان میدهد که با افزایش قدرت میدان، محدودیت حاملین افزایش یافته و در نتیجه میزان یکسوسازی نوری کاهش مییابد.
نقطه کوانتومی,یکسوسازی نوری,ناخالصی گاوسی,میدان الکتریکی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17267.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17267_0372483eeff51c25fb48e82fac5565ea.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
حالتهای همدوس درهمتنیدۀ شبه کیوتریت فوتون افزوده منتسب به نور
37
50
FA
علیرضا
دهقانی
https://orcid.org/00
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
alireza.dehghani@gmail.com
بشیر
مجاوری
0000-0003-2862-9516
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران
bmojaveri@azaruniv.ac.ir
علی اصغر
ال نبی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران
aaalenabi7488@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2021.17268
در این مقاله، کلاس جدیدی از حالتهای درهمتنیده شبه-کیوتریت دو مدی را بر پایه حالتهای شبه همدوس معرفی میکنیم. این حالتها به کلاس خاصی از حالتهای غیرکلاسیکی نور به نام حالتهای همدوس فوتونافزوده[1]نیز مرتبط هستند؛ بنابراین نامزد مناسبی برای فرآیندهای اطلاعات کوانتومی میباشند [2]. شایان ذکر اینکه بر پایه این حالتها برهمنهیهای گوناگونی از جمله حالتهای درهمتنیده دوکیوبیتی معرفی و بررسی شدهاند که شاهدی مناسب برای ویژگی-های ارزندهی کوانتومی آنها میباشد [2]. از اینرو با توجه به ارتباط مذکور و شهود ویژگیهای کنترلپذیر غیرکلاسیکی این دسته از حالتهای کوانتومی، در این کار به دنبال تجزیه و تحلیل اثر افزودن فوتون به حالتهای درهمتنیده دوکیوتریتی هستیم. برای این منظور، تحلیل جامعی از خصوصیات غیرکلاسیکی آنها، شامل آمار فوتونی و درهمتنیدگی با تاکید بر نقش پارامتر جابجایی فاز ارائه میکنیم. در همین راستا، برای اندازهگیری درهمتنیدگی از سنجه تلاقی تعمیمیافته استفاده میکنیم[3] و شرایط ممکن برای بیشینه شدن درهمتنیدگی را بررسی میکنیم. در مقایسه با برخی موارد که پیش از این بحث شده است، مشاهده میکنیم که فرایند افزودن فوتون به حالتهای دو کیوتریتی، که معادل با انتخاب خاصی از پارامتر جابجایی فاز هست، نقش مهمی را در ظهور اثرات غیرکلاسیکی بازی میکند؛ همچنین ابزار مناسبی برای افزایش و حفظ درهمتنیدگی می-باشد.
حالتهای شبههمدوس,درهمتنیدگی,اثر چلاندگی,امار زیر پواسونی,دو-کیوتریت
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17268.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17268_59c0856380333f336342d6617ad1113d.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
خواص ساختار الکترونی و اپتیکی مکسین های دو بعدی (M=Y,Lu) M2CF2
51
62
FA
زهرا
خراسانی باغینی
دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان، ایران
khorasani.1382@yahoo.com
علیرضا
مصطفایی
0000-0002-8332-6967
دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
alirezamostafaei64@gmail.com
محدثه
عباس نژاد
0000-0003-1073-561X
دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان، ایران
m.abbasnejad@gmail.com
10.22055/jrmbs.2021.17269
به عنوان یک خانوادۀ جدید از مواد دو بعدی، فلزات انتقالی کاربیدها و نیتریدها (MXenes) به دلیل کاربردهای بالقوۀ گسترده در سال های اخیر توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. در این مطالعه، ساختار های الکترونی و خواص اپتیکی مکسین M=Y, Lu)) M2CF2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی بررسی شده است. تک لایۀ (Lu2CF2)Y2CF2 نیم رسانا با گاف نواری غیر مستقیم از مرتبۀ 1.67eV ( 1.42 eV) است. با مقایسه گاف نواری دو تک لایۀ Y2CF2 و Y2CCl2، وابستگی خواص الکترونی و متقابلاً خواص اپتیکی این ترکیبات به خاتمۀ سطح، که در فرآیند ساخت مکسین ها رخ می دهد، مشاهده می شود. برای مطالعۀ خواص اپتیکی، بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک محاسبه شد. براساس نتایج به دست آمده، این ترکیبات جذب قابل توجهی درناحیۀ فرابنفش و مرئی دارند که در مقایسه با ترکیباتی نظیر BP، MoS2 و تک لایۀ Sc2CO2 دارای جذب بهتری در ناحیۀ مرئی هستند. هم چنین؛ ضریب شکست، طیف اتلاف انرژی و رسانندگی اپتیکی این ساختارها بررسی شده است. مطابق نتایج به دست آمده، تک لایههای M=Y,Lu)) M2CF2 کاندیداهای مناسب تری برای کاربرد در زمینۀ الکترونیک، اپتوالکتریک و انرژی خورشیدی هستند.
مکسین ها,تک لایه های دوبعدی M2CF2 (M=Y,Lu),نظریه تابعی چگالی,خواص اپتیکی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17269.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17269_0b8a6e13e7fb7fe93266dc50a876bca6.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
بررسی چرخش اپتیکی القا شده در نانولایه های موجبری AgCl-Ag با تحریک مدهای مرتبه بالاتر در قطبش بیضوی نور فرودی
63
78
FA
بنت الهدی
عساکره
0000-0000-0000-0000
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه تهران، تهران، ایران
asakereh.hoda@ut.ac.ir
ارشمید
نهال
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه تهران، تهران، ایران
nahal@ut.ac.ir
10.22055/jrmbs.2021.17270
در این مقاله، تاثیر شکل گیری ساختارهای دوره ای خودزا در لایه های نازک حساس به نور کلرید نقره- نقره درحالت برانگیختگی مدهای بالاتر (تحریک همزمان مدهای 〖TE〗_0 و 〖TE〗_1 ) بر روی میزان القای چرخش اپتیکی، تحت تابش با نور قطبیده بیضوی یک لیزر هلیوم نئون بررسی شده است. در لایه های نازک AgCl-Ag، در برهمکنش با نور قطبیده بیضوی نانو ساختارهای خودسامانده پریودیک (SPN ) تشکیل می شوند که حاصل تداخل نور فرودی با مدهای تحریک شده در لایه است. بیضوی بودن قطبش نور فرودی موجب پیچیده تر شدن ساختارها شده و به نمونه ها خاصیت فعالیت اپتیکی القا می کند. در واقع شکل گیری SPN منجر به افزایش ناهمگنی و شکل گیری ساختارهای کایرال متشکل از نانوذرات نقره شده و باعث بروز فعالیت اپتیکی در نمونه ها می شود. از طرفی، افزایش زمان نوردهی و برانگیختگی همزمان دو مد تحت تابش نور قطبیده ی بیضوی موجب تقویت فعالیت نوری القاء شده می شود.
لایه های نازک حساس به نور,نانوذرات نقره,نانوساختارهای دوره ای خودزا,کایرالیتی,چرخش اپتیکی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17270.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17270_45bda9fa1b64273142e1ab138d6162b8.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
سنتز و تعیین خواص نوری خطی و غیرخطی شیف باز N’,N-بیس(2-هیدروکسی بنزیلیدن) بنزیدین با استفاده از روشهای جاروب Z و محاسبات کوانتم
79
93
FA
عبدالرسول
قرائتی
0000-0003-3545-4611
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
agharaati@pnu.ac.ir
یاسمن
عابد
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
yasamanabed@gmail.com
فاطمه
مستغنی
گروه شیمی، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
mostaghnif@yahoo.com
10.22055/jrmbs.2021.17271
در این کار، خواص اپتیکی خطی و غیرخطی شیف باز N’,N-بیس(2-هیدروکسی بنزیلیدن)بنزیدین (HBB) به دو روش تجربی جاروب Z و محاسبات کوآنتمی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور، ابتدا طیف جذبی ترکیب HBB در حلالهای DMSO، DMF،CH<sub>3</sub>Cl تهیه شده و اثر قطبیت حلال و نیز مقدار گاف انرژی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان داده که نمونه حل شده در DMSO خواص غیرخطی بهتری نسبت به دیگر نمونهها داشته است. سپس خواص غیرخطی نمونه به روش تکنیک جاروب Z محاسبه شده است. نتایج بدست آمده برای نمونه در حلال DMSO، نشان داد که مقدار ضریب شکست غیرخطی برابر 0.108×<sup>10</sup>10<sup>-</sup>cm2/W ، ضریب جذب غیرخطی برابر 0.14361×<sup>6-</sup>10 cm/W و پذیرفتاری مرتبه سوم برابر 4.437× <sup>9-</sup>10 esu میباشد. همچنین بهکمک محاسبات کوآنتمی، میزان گشتاور دوقطبی µ ، قطبشپذیری خطی α و همچنین ابرقطبشپذیری غیرخطی مرتبة دوم و سوم (β وγ) محاسبه شده است. هر دو نتاج بهدست آمده از روش تجربی و محاسباتی نشان داد که ترکیب HBB از خواص غیر خطی بالایی برخوردار بوده و کاندیدای خوبی برای استفاده در ابزارهای اپتیکی میباشد.
اپتیک,روش جاروب Z,شیف باز,فراقطبش پذیری,نظریه تابعی چگالی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17271.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17271_826beb9f9331d3297fd2f91e9172ac22.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
بررسی جذب گاز فسفین به نانولولههای BC3 و SiC با استفاده از نظریة تابعی چگالی
94
109
FA
فروغ
کلانتری فتوح
0000-0002-3905-0705
گروه شیمی، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران
f_kalantary_f@yahoo.com
مریم
نیری
0000-0003-0479-2431
گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران
nayeri@iauyazd.ac.ir
10.22055/jrmbs.2021.17272
فسفین PH<sub>3</sub> گاز سمی و خطرناکی است که در اثر واکنش آلومینیوم فسفید یا قرص برنج در حضور آب، بخار آب یا اسید معده آزاد میشود. مسمومیت ناشی از فسفین بیشتر به قصد خودکشی است بهطوری که دو سوم از مسمومین ناشی از آن جان خود را از دست میدهند. در این تحقیق با استفاده از روش نظریة تابعی چگالی، خواص ساختاری و الکترونیکی نانولولههای سیلیکون کاربید SiC و بور کاربید BC<sub>3</sub> (10،0) بهعنوان حسگر بیولوژیکی گاز فسفین مورد بررسی قرار گرفته است. بدین منظور ابتدا گاز فسفین در فاصلة تعادلی یعنی مجموع شعاع اتمی B/C/Si<strong><em> </em></strong><strong>و<em> </em></strong>P/H<strong><em>،</em></strong><strong><em> </em></strong>از دو جهت هیدروژن و فسفر به سطح نانولوله و درون نانولوله اضافه شد. سپس ساختارها بهطور کامل بهینه شدند و مطالعات الکترونیکی بر روی ساختارهای بهینه شده انجام گرفت. نتایج بهدست آمده نشان دهندة تغییرات زیادی در خواص الکترونیکی نانولولة BC<sub>3</sub><strong> </strong>بعد از جذب<strong> </strong>است. در نتیجه این نانولوله بهطور بالقوه نه تنها قادر به جذب بلکه قادر به شناسایی گاز سمی و خطرناک فسفین است.<em> د</em>ر نهایت بهمنظور بررسی بیشتر برهمکنشهای بین اتمها مطالعات چگالی حالتهای جزئی نیز انجام شد.
قرص برنج,نظریهی تابعی چگالی,انرژی شکاف نواری,فسفین,نانولوله
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17272.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17272_62a98a00be41401166942205a5e4e634.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
بررسی خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولولههای III-V با استفاده از تئوری تابعی چگالی
110
123
FA
منیر
کمالیان
0000-0002-5392-4368
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، تهران، ایران
m.kamalian@srbiau.ac.ir
10.22055/jrmbs.2021.17273
در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولولههای زیگزاگ (0و 5) بورون نیتراید (BN)، گالیم آرسناید (GaAs)، گالیم نیتراید (GaN)، گالیم فسفاید (GaP)، ایندیوم نیتراید (InN) و ایندیوم فسفاید (InP) با استفاده از تئوری تابعی چگالی (DFT) ترکیب شده با فرمالیزم تابع گرین غیر تعادلی (NEGF) توسط نرم افزار SIESTA مورد مطالعه قرارگرفته شده است. ساختار باندی الکترونی، چگالی حالات (DOS)، گاف انرژی، مشخصه جریان ولتاژ (I-V) و منحنی ترابرد (dI/dV) این ساختارها تحت شرایط بایاس پائین مورد بررسی قرار گرفت، نتایج بدست آمده ماهیت نیمههادی این ساختارها را تأیید می-نماید. در بین این ساختارها، نانولوله زیگزاگ (0و 5) گالیم فسفاید (GaP) باند گاف انرژی غیر مستقیم را نشان داده است که این ساختار را مناسب برای بکارگیری در نمایشگرهای رنگی میسازد در عوض نانولوله زیگزاگ (0و 5) گالیم آرسناید (GaAs) علاوه بر باند گاف انرژی کوچکتر و چگالی حالات بیشتر مشخصه مقاومت دیفرانسیلی منفی(NDR) از خود نشان داد بگونهای که میتواند کاندیدای مناسبی برای بکارگیری در قطعات اپتوالکترونیکی سرعت بالا، سوئیچ کنندههای سرعت بالا و نوسانگرهای سرعت بالا باشد.
ترکیبات گروه III-V,نانولوله,تئوری تابعی چگالی (DFT),مقاومت دیفرانسیلی منفی (NDR),نرم افزار SIESTA
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17273.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17273_bfae19ed7b51ee96b90faf36269aeacd.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی
124
138
FA
سارینا
یوسف بیگی
0000-0002-1249-8059
گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران
sarinayousefbeigi@gmail.com
فرح
مرصوصی
گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران
marsusi@aut.ac.ir
یلدا
پدرام
0000-0001-6259-0083
گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران
yalda.pedram@gmail.com
10.22055/jrmbs.2021.17274
جذب فلوئور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلائیده به فلوئور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک میشود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتمهای فلوئور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان میدهند که تعداد اتمهای فلوئور که جذب صفحه گرافن میشوند با افزایش غلظت گاز فلوئور تا مقدار معینی افزایش مییابند و سپس با افزایش بیشتر غلظت ثابت باقی می-مانند. همچنین با افزایش دما تا حدی که ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزایش تعداد پیوندهای C-F میشود. همچنین مشاهده شد که چیدمان فلوئورهای جذب شده چنان است که از افزایش اختلال در توازن بین دو زیر شبکه گرافن جلوگیری شود.
دینامیک مولکولی,گرافن,فلوئوروگرافن,جذب یک سویه
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17274.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17274_67ae5cf2cabdb614a743a0e0f6216307.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
ساخت نانوساختارهای MnO2 و بررسی خواص ساختاری و دیالکتریکی آنها
139
149
FA
فاطمه
حمل زاده احمدی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
f_hamalzadeh@yahoo.com
سید ابراهیم
موسوی قهفرخی
0000-0002-4495-5859
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
musavi_ebrahim@yahoo.co.uk
10.22055/jrmbs.2021.17275
در این مطالعه، نانوساختارهای یک بعدی MnO<sub>2</sub>، از جمله نانومیله، نانولوله و نانوسیم بهروش آبی-حرارتی تهیه و توسط آنالیز پراش پرتو x، طیفسنج مادون قرمز- تبدیل فوریه، میکروسکوپ الکترون روبشی و آنالیز خودالقاء-ظرفیت-مقاومت مشخصهیابی شدند. نتایج الگوهای پراش نشان میدهند که نمونههای ساخته شده تک فاز هستند. تصاویر SEM بهخوبی تشکیل نانومیله، نانولوله و نانوسیم را نشان میدهد. نتایج آنالیز خودالقاء-ظرفیت-مقاومت نشان میدهد که ثابت دیالکتریک و اتلاف دیالکتریک در فرکانسهای پایین، بهعلت مقاومت الکتریکی بالا در مرزدانهها، زیاد و در فرکانسهای بالا، بهعلت مقاومت الکتریکی پایین در دانهها، کم میباشد. همچنین رسانندگی نانوساختارهای MnO<sub>2</sub> با افزایش فرکانس، بهدلیل فرآیند جهش بین <sup>+</sup><sup>4</sup>MnMn<sup>3+</sup>/ افزایش مییابد.
نانوساختار (نانومیله,نانولوله,نانوسیم),روش آبی- حرارتی,خواص دیالکتریک
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17275.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17275_10f0e111b372a8a2feecbaa2a717537f.pdf
دانشگاه شهید چمران اهواز
پژوهش سیستم های بس ذره ای
2322-231X
2588-4980
11
4
2021
12
22
اصلاح قانون گرانش نیوتن در فرمولبندی ورلایند از نقطه نظر ساختار ریز گسترش یافته
150
168
FA
سید حمید
مهدی پور
0000-0003-4029-6208
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان، لاهیجان، ایران
hamid.mehdipoor@gmail.com
10.22055/jrmbs.2021.17276
در این مقاله، می خواهیم خواص کوچک-مقیاس فضا-زمان را از دیدگاه اثرات ساختار ریز گسترش یافته مورد تحلیل قرار دهیم. در این راستا، تمامی ساختارهای نقطه ای به دلیل حضور اثر گستردگی ساختار ریز، با توزیع های لکه ای جایگزین و اصلاح می شوند. ما به بررسی اثری می پردازیم که چنین اصلاحی از جرم و بار نقطه ای روی ترمودینامیک یک سیاهچاله آنتی-دوسیته باردار می گذارد. به عنوان یک پیامد مهم در فواصل بسیار کوتاه نشان می دهیم که نیروی آنتروپیایی چنین سیاهچاله ای به ازای قدری پسمانده خنثی، به مقدار صفر سقوط می کند و به هیچ وجه واگرا نمی شود. همچنین، بهره گیری از توزیع های لکه ای بجای ساختارهای نقطه ای باعث اصلاح انرژی سیاهچاله می گردد. اثرات چنین اصلاحاتی روی هندسه بزرگ-مقیاس نیز به کمک اصول هولوگرافی و همبخشی انرژی موضعی مورد مطالعه قرار می گیرند. از اینرو، به تصحیحات نیروی آنتروپیایی در این نظریه تغییر شکل یافته دست پیدا می کنیم، و این به نوبه خود منجر به اصلاح قانون گرانش نیوتن در فرمولبندی ورلایند خواهد شد.
گرانش آنتروپیایی,ترمودینامیک سیاهچاله ها,ساختار گسترش یافته,صفحات هولوگرافی,ثابت کیهانشناسی
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17276.html
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17276_895fbf61d75a3d8a9b253abe761e0d6e.pdf