TY - JOUR ID - 14832 TI - اثر ناخالصی باردار بر رسانش الکتریکی در گرافیت دو بعدی JO - پژوهش سیستم های بس ذره ای JA - JRMBS LA - fa SN - 2322-231X AU - انصاری پور, قاسم AU - بهرامی مقدس, محمد AD - گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدان AD - گروه فیزیک-دانشگاه صنعتی همدان-همدان Y1 - 2019 PY - 2019 VL - 9 IS - 2 SP - 23 EP - 30 KW - گرافیت دوبعدی KW - اثر استتار KW - ناخالصی های باردار KW - رسانش الکتریکی KW - توزیع تصادفی KW - توزیع خوشه ای DO - 10.22055/jrmbs.2019.14832 N2 - چکیده در این کار پژوهشی با لحاظ ناخالصی‌های باردار به عنوان مراکز پراکندگی، اثر آن‌ها را روی رسانش متناظر در یک لایه گرافیت دوبعدی مطالعه می‌کنیم. ابتدا با توجه به اهمیت اثر استتار روی ناخالصی‌ها و تابع پلاریزاسیون استاتیک، با استفاده از تقریب جرم مؤثر و معادلهٔ k.p، رسانش را بر حسب چگالی حامل‌های صفحه‌ای در دماهای مختلف محاسبه و رسم می‌کنیم. نشان داده‌ایم که رسانش در دماهای پایین رفتاری فلزی و در دماهای بالا به صورت عایق عمل می‌کند. محاسبه و ترابرد حامل‌های بار و اثر توزیع‌های مختلف ناخالصی باردار بر رسانش را، در دو حالت توزیع ناخالصی‌ها به صورت تصادفی و به صورت خوشه‌ای محاسبه و رسم می‌کنیم. نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی و نظری اخیر مطابقت دارد. UR - https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14832.html L1 - https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14832_bb858e7ae5becd05718d36dd2f9a5436.pdf ER -