TY - JOUR ID - 14856 TI - ویژگی های الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی نانو لایه GaAs خالص و آلائیده شده با ناخالصی های Mn و Fe واقع بر سطح [001] JO - پژوهش سیستم های بس ذره ای JA - JRMBS LA - fa SN - 2322-231X AU - نوربخش, زهرا AD - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران Y1 - 2019 PY - 2019 VL - 9 IS - 2 SP - 187 EP - 197 KW - نظریه تابعی چگالی KW - نانو لایه GaAs خالص و ناخالص KW - گشتاور مغناطیسی KW - ساختار نواری KW - ویژگی ها اپتیکی DO - 10.22055/jrmbs.2019.14856 N2 - انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با ناخالصی‌های (GaAs+Fe) Mn و Fe (GaAs+Fe) با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار می‌گیرند. چگالی حالت‌های الکترونی، ضریب خطی گرمای ویژه ، ساختار نوراری و گشتاور مغناطیسی کل و موضعی حاصل از ناخالصی‌ها محاسبه و مقایسه می شوند. بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع دی الکتریک استاتیکی، ناهمسانگردی تک محوری، ضرایب بازتابش، ضرایب جذب ، تابع اتلاف انرژی و رسانندگی اپتیکی نانولایه های GaAs خالص ، GaAs+Feو GaAs+Fe برای میدان الکتریکی موازی و عمود بر سطح نانو لایه‌ها با استفاده از تقریب‌های چگالی شیب تعمیم یافته و انگل-وسکو بررسی و مقایسه می شوند. UR - https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14856.html L1 - https://jrmbs.scu.ac.ir/article_14856_c97d493f2e37d721f4e801ba4094f741.pdf ER -