TY - JOUR ID - 15922 TI - مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی JO - پژوهش سیستم های بس ذره ای JA - JRMBS LA - fa SN - 2322-231X AU - نیکمرام, فرّخ رؤیا AU - قلی زاده آرشتی, مریم AD - گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایران AD - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایران Y1 - 2020 PY - 2020 VL - 10 IS - 2 SP - 135 EP - 147 KW - فولرن کاسه ای KW - Si KW - Ge KW - محاسبات کوانتومی KW - خواص ترمو الکتریکی DO - 10.22055/jrmbs.2020.15922 N2 - امروزه با کاربرد گستردۀ مواد ترموالکتریک، توجه به مطالعۀ تئوریک خواص ترموالکتریکی اهمیت خاصی دارد. در این تحقیق با محاسبۀ ضریب سیبک Sو فاکتور شایستگیZ برای ساختارهای کاسه ای شکل(n=1-5) C20-nGen و C20-nSin، سامانۀ ترموالکتریکیِ مناسب، پیش بینی گردیده است. محاسبات به روش کوانتومی در سطح محاسباتیLSDA/6-31G، انجام شده است. در این ساختارها با افزایش دما ازk 278 تا 400k، ضریب سیبک در نیمرساناهای نوع p کاهش و در نیمرساناهای نوع n افزایش می یابد. بزرگترین فاکتور شایستگی با مقدار 78/1 برای C19Ge1 در دمایk 278 و برای C17Si3 در دمای 400k با مقدار 03/1 نتیجه شده است. بنابراین ساختار C19Ge1 به عنوان نیمرسانای نوع p و C17Si3 به عنوان نیمرسانای نوع n با اختلاف دمائی بزرگتر را می توان برای ساخت سامانۀ ترمو الکتریکی انتخاب نمود. ساختارهایِ C20-nGen با تعداد استخلافِ n=1,2,5 بعنوان هر دو نوع نیمرسانای n و p و ساختارهایِ C20-nSin با تعداد استخلاف n=3 وn=1,3 به ترتیب به عنوان نیمرسانای نوع n و نوع p، که فاکتور شایستگی بزرگتر از یک دارند، را می توان در ساخت سامانۀ ترموالکتریکی استفاده نمود. UR - https://jrmbs.scu.ac.ir/article_15922.html L1 - https://jrmbs.scu.ac.ir/article_15922_bc955b77a806e36dc391185aa380dc4c.pdf ER -