2024-03-28T23:02:59Z
https://jrmbs.scu.ac.ir/?_action=export&rf=summon&issue=1670
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
سیستم بس ذره ای کوانتومی با جرم موثر متغیر در حضور برهمکنش نوسانگر هارمونیک نسبی و میدان الکتریکی وابسته به زمان
هادی
سبحانی
حسن
حسن آبادی
در این مقاله یک سیستم کوانتومی بس ذره ای در نظر گرفته شده است. سپس به آن سیستم دو بر همکنش وابسته به زمان نوسانگر هارمونیک و میدان الکتریکی اضافه می گردد. نوع تغییرات آن ها به صورت کاملا عمومی فرض شده است. سپس با استفاده کردن از روش های جبری، تحول زمانی این سیستم بس ذره ای کوانتومی بررسی می گردد. برای مطالعه این تحول زمانی از روش های پویای ناوردای پویای لوییس و رزنفلد و عملگر تحول زمانی استفاده شده اند. ناورداهای مناسب ساخته شده اند و ویژه توابع آن ها بدست آورده شده اند همچنین عملگرهای مناسب تحول زمانی ساخته شده اند. در انتها مقایسه بین جواب های بدست آمده در مقاله با در نظر گرفتن حالتی خاص ارائه شده است.
سیستم بس ذره ای کوانتومی
برهمکنش نوسانگر هارمونیک وابسته به زمان
میدان الکتریکی وابسته به زمان
معادله شرودینگر
ناوردای پویای لوییس و رزنفلد
عملگر تحول زمانی
2017
11
22
1
11
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13321_0525b9fd52cb4f218998d97de8f8a600.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
نقش کشش سطحی بر روی سطح مقطع های واکنش همجوشی با پرتابه ضعیف پیوند
امید
ناصر قدسی
امین
سیدی
طاهره
قاسمی
در این مطالعه با توجه به اثرات کشش سطحی و شکست پرتابه قبل از رسیدن به آستانه همجوشی به بررسی واکنش همجوشی با هسته ضعیف پیوند پرداخته ایم. در بررسی پتانسیل هسته ای این واکنش از پتانسیل مجاورت نسخهAW95 استفاده شده است. با استفاده از این مدل که اثرات کشش سطحی در آن لحاظ شده است و مدل دینامیکی سه جسمی مسیریابی کلاسیکی سطح مقطع همجوشی کامل و ناکامل مورد محاسبه قرار گرفته است. نتایج حاصل نشان می دهند از بین چهار پارامتر کشـش سطحی ، ، و پتانسیل کولنی مربوط به مدل با کشش سطحی کم ترین عمق و محاسبات مربوط به مدل با کشش سطحی بیش ترین عمق را برای پتانسیل کل در نواحی داخلی تولید می کنند در حالی که پتانسیل حاصل از از لحاظ ارتفاع سد کولنی با داده تجربی توافق خوبی دارد. هم چنین سطح مقطع همجوشی کامل محاسبه شده با استفاده از مدل با کشش سطحی با داده های تجربی توافق بهتری دارد. در حالی که با استفاده از پارامتر سطح مقطع همجوشی ناکامل این اندرکنش داده های تجربی را بخوبی بازتولید می کند.
هسته های ضعیف پیوند
کشش سطحی
پتانسیل های مجاورت
سطح مقطع های کامل و ناکامل همجوشی
2017
11
22
13
20
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13322_69780ba62f186b19191bb0d477e2fde2.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
عامل شکل اخترفیزیکی واکنش گیراندازی تابشی (_4^7)Be (α,γ) (_6^11)C
حسین
صادقی
مطهره
قمری
سعید
محمدی
در این کار به علت اهمیت واکنش گیراندازی(_4^7)Be (α,γ) (_6^11)C در فیزیک هسته ای و اخترفیزیک ضمن معرفی این واکنش به محاسبه ی پتانسیلهای مربوط به آن، سطح مقطع و آهنگ واکنش پرداخته و در نهایت پس از معرفی و محاسبهی فاکتور اخترفیزیکی S(E)کمیتی با وابستگی کمتر انرژی نسبت به سطح مقطع در رنج انرژیهای پایین مربوط به نوکلئوسنتزاولیه، فاکتور اخترفیزیکی را برای این واکنش در رنج انرژی MeV10- MeV 0 در حدودMeV-b 0 تا MeV-b 14ر0 به دست آوردیم. در این کار پس از معرفی واکنش اخترفیزیکی هستهای (_4^7)Be (α,γ) (_6^11)C پتانسیلهای کولنی و اسپین-مدار را از روابط محاسبه کرده و پتانسیل 18 AVرا که مربوط به برهمکنشهای نوکلئون -نوکلئون است با استفاده از برنامهی کامپیوتریRADCAP بهدستآوردیم. و سپس سطح مقطع و آهنگ واکنش را در تشدیدهای MeV 105ر8 Ex= و MeV 242ر8 Ex= محاسبه کردیم .در نهایت پس از معرفی کمیت اخترفیزیکی S(E) آن را برای این واکنش محاسبه کرده که در انرژی MeV 0 تا MeV 8 مقدار MeV-b 14ر0-MeV-b 0 را به دست آوردیم.
واکنش گیراندازی تابشی
اترژیهای نوکلئوسنتز
پتانسیل AV18
فاکتور اختر فیزیکی S
2017
11
22
21
31
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13323_dfcba3960d584d9e9445aa8a4c4091c9.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
مطالعه زنجیره ایزوتوپی Ru100-106با استفاده از مدل سه ترازی بوزون برهم کنشی
امیر
جلیلی مجارشین
هادی
صبری
در این مقاله طیف انرژی و سطوح انرژی هسته های واقع در ناحیه گذار فازی بین شکل های کروی و تغییر شکل یافته محوری بررسی شده است. برای توصیف همزمان حالات با اسپین پاریته زوج و فرد در قالب مدل بوزون برهمکنشی سه ترازی spd، هامیلتونین گذار فازی تعریف شده بر پایه جبر آفین(1،1)SU را استفاده نمودیم. با استفاده از نظریه کاتاستروف و فرمالیسم حالات همدوس، سطوح انرژی برای زنجیره ایزوتوپیRu100-106در ناحیه گذار فازی شکلی بین حدود (9)SO - (5)U مدل بوزون برهمکنشی تعیین گردید. پیش بینی های مدل، اطلاعات تجربی موجود برای این هسته ها را به خوبی بازیابی می نماید. همچنین تغییرات مشاهده شده در سطوح انرژی این هسته ها وجود یک گذار فازی شکلی مرتبه دوم را نشان می دهد. مقادیر حاصل برای پارامترهای کنترلی و همچنین شکل سطوح انرژی، هسته Ru100 را به عنوان نمونه مناسب نقطه بحرانی این گذار فازی شکلی معرفی می نماید.
گذار فازی- شکلی کوانتومی
حالت همدوس
مدل سه ترازی بوزون برهمکنشی
سطوح انرژی
2017
11
22
33
44
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13324_1a2fa81aff51a7ef2a6f1cb1fa98054d.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
سنتز لایههای نازک ترکیبی MoS2/MoO3 با استفاده از روش اسپری پایرولیزیز و بررسی تاثیر فرایند بازپخت بر روی خواص فیزیکی آنها
مهدی
عادلی فرد
مصطفی
جهاندوست
در این تحقیق تاثیر دمای زیرلایه و نیز فرآیند بازپخت در جو گوگرد بر روی خواص ساختاری، ریختشناسی سطح، اپتیکی، الکتریکی و ترموالکتریکی لایههای نازک ترکیبی تریاکسید مولیبدنیوم/دیسولفید مولیبدنیومMoO3) /(MoS2 تهیه شده با روش اسپری پایرولیزیز مورد مطالعه قرار گرفت. تحلیل الگوهای پراش پرتو ایکس لایههای نازک مورد مطالعه حاکی از تشکیل ساختاری بلوری با دو فاز راستگوشه MoO3 و فاز ششگوشی MoS2 بود. پس از فرآیند سولفوردهی، قلههای مربوط به فاز اکسیدی در آنها ناپدید شد و ساختار تک فاز MoS2 شکل گرفت. تصاویر میکروسکوب الکترونی روبشی گسیل میدانی بیانگر سطوحی بطور یکنواخت پوشیده شده از ذرات با اشکال کروی شکل بودند. همه نمونهها از ضریب جذبی در حدود cm-1 104 برخوردار بوده و انرژی گاف نواری آنها پس از فرآیند سولفوردهی به طور قابل ملاحظهای بطور متوسط از 60/2 تا eV 55/1 کاهش یافتند. دادههای اثر هال نشان داد که لایه های نازک MoS2 از رسانندگی حفرهای (در توافق با روند تغییرات ضرایب سیبک) و نیز تراکم حفرهای از مرتبه cm-3 1015 برخوردار بودند.
تریاکسید مولیبدنیوم
دیسولفید مولیبدنیوم
اسپری پایرولیزیز
لایه نازک
خواص ساختاری
خواص اپتیکی
خواص الکتریکی
2017
11
22
45
56
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13325_04e408a27d56b4692c04a51f7827065b.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
رشد نانولولههای کربنی هم راستا به روش نشست بخار شیمیایی کاتالیستی و روش رشد فاز بخار
منصور
فربد
هدیه
هاشمی کیا
علی رضا
کیاست
در این تحقیق، نانولولههای کربنی همراستا با روش نشست بخار شیمیایی کاتالیستی و با استفاده از لایهنشانی نانوذرات کاتالیستی آهن- مولیبدن بر روی زیرلایهای از جنس سیلیکون تولید شدند. از گاز استیلن (C2H2) به عنوان منبع کربنی، گاز آرگون(Ar) به عنوان گاز حامل، گاز هیدروژن(H2) برای احیای نانوذرات واز نانوذرات آهن- مولیبدن به عنوان منبع کاتالیستی در دمای℃750 جهترشدنانولولههای کربنی استفاده شده است.واکنش درون یک راکتور استوانهای کوارتز که محفظهی اصلی است، انجام شده و گازها با آهنگ شارش مشخص به درون آن تزریق میشوند. نانوذرات کاتالیستی آهن- مولیبدن با استفاده از روش شیمیایی تجزیه حرارتی تولید شدند. سپس زیرلایه، توسط لایهی نازکی از نانوذرات آهن- مولیبدن با عمل خیساندن پوشش داده میشود. همچنین نانولولههای کربنی همراستا با استفاده از روش رشد فاز بخار بر روی نانوذرات آهن تولید شدند. بررسی نمونهها توسطدستگاههاییچونمیکروسکوپالکترونیروبشی (مدلSEM, LEO 906E)،میکروسکوپ الکترونی روبشی اثرمیدانی (مدلMIRA3 TESCAN) وآنالیز EDXموردبررسی قرار گرفتند. همچنین از طیفسنجی رامان جهت تأیید وجود نانولولههای کربنی تکدیواره استفاده گردید.
نانوذرات آهن- مولیبدن
نانولوله های کربنی همراستا
نشست بخار شیمیایی کاتالیستی
رشد فاز بخار
2017
11
22
57
64
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13326_cbab717d63b7a5129c56cb6b8603ad0f.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
یونش هدفهای مولکولی با استفاده از باریکههای یونی همدوس و ناهمدوس
ابراهیم
قنبری عدیوی
یکی از جنبه های مهم و جالب یونش هدف های مولکولی با استفاده از باریکه های یونی، تداخلی است که بین باریکه های پراکنده شده از مراکز پراکندگی به وجود می آید. تجربه نشان داده است که الگوهای تداخلی ای که با استفاده از باریکه های همدوس و ناهمدوس به وجود می آیند، تفاوت های کوچک ولی مهمی با یکدیگر دارند. لحاظ کردن منشاء این تفاوت ها در رهیافت های نظری معمولاً دشوار و حتی غیرممکن است. در این پژوهش، مدلی نظری برای مطالعه ی سطح مقطع جزیی سه گانه یونش مولکول هیدروژن با استفاده از باریکه های پرتابه ای همدوس پیشنهاد شده است. در این مــدل، سطح مقطع یونش از برهم نهی سطح مقطع های تقریب "دو مرکز مؤثر" با یک و دو موج کولنی به دست می آید. نتایج حاصله برای برخورد پروتون با مولکول هیدروژن با داده های تجربی مقایسه شده اند. مقایسه نشان می دهد که آثار تداخلی ناشی از برهم نهش دو سطح مقطع جزیی با الگوی تداخلی مشاهده شده برای باریکه ی پروتونی همدوس توافق بسیار خوبی دارد.
یونش
سطح مقطع جزیی سه گانه
تقریب "دو مرکز مؤثر"
تداخل
باریکههای همدوس و ناهمدوس
2017
11
22
65
75
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13327_d2f0712c5b2fe07485d1d4c40dc7ebf2.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
مطالعه ی خواص اپتوالکترونی نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم با استفاده از نظریهی تابعی چگالی
محمد
قاسم نژند
فرح
مرصوصی
در پژوهش پیش رو تاثیرپذیری ویژگی های نوری نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم، از اندازه و ساختار مولکولی بررسی شده است. فرمول عمومی مولکول های یاد شده به صورت SinHn است که در این تحقیق فولرِین و شبه فولرین های سیلیسیمی متعددی، که کوچکترین آنها 16، و بزرگترین آنها 70 سیلیسیم را شامل می شود، انجام شده اند. تغییرات اندازه ی قطر این نانوقفس ها به طور تقریبی در بازه ی 1 تا 1.7 نانومتر قرار دارد. نظریه ی تابعی چگالی به عنوان روش محاسبات شبیه سازی های مورد نیاز در این تحقیق انتخاب شده و انجام محاسبات توسط نرم افزار گوسین صورت گرفته است. برای محاسبات مربوط به روش نظریه ی تابعی چگالی از تابعی هیبریدی B3LYP به همراه مجموعه پایه ی 6-31+G(d,p) انجام شده اند. نتایج کلی این پژوهش، در دو عبارت خلاصه می شوند: اول تغییرات گاف هومو-لومو نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم در حدود بازه ی 1 تا 2 نانومتر، نسبت به تغییر ابعاد این نانوذرات با آهنگ کوچکی صورت می گیرد. دوم وجود جفت شش گوش های متصل به هم، در ساختار این مولکول ها، باعث افزایش گاف هومو- لومو می شود.
نانوقفس
فولرِین های سیلیسیمی
گاف هومو- لومو
نظریه ی تابعی چگالی
نرم افزار گوسین
2017
11
22
77
87
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13328_f9328fec8f9160a5818b9150019d2322.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
طراحی سلول های خورشیدی نانوپلاسمونیکی براساس برانگیختگی مدهای اپتیکی درون سلول
آرزو
فیروزی
احمد
محمدی اسلامی
به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای اپتیکی با تغییر پارامترهای سلول را مورد بررسی قرار می دهیم. نشان می دهیم که با قرار دادن توری شبه تناوبی یک بعدی از نانومیله های پلاسمونیکی و دی الکتریک، به ترتیب، در انتها و بر روی سلول، می توان تمام مدهای اپتیکی مورد نظر را به صورت کنترل شده برانگیخته کرد.
سلول خورشیدی لایه نازک
نانوپلاسمونیک
روش تفاضل متناهی در حوزه زمان
2017
11
22
89
102
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13329_c264f4fd37c3ed7f665d439ac864254a.pdf
پژوهش سیستم های بس ذره ای
.J. Res. Many. Sys
2322-231X
2322-231X
1396
7
15
بهبود بازده سلول خورشیدی سیلیکونی ناهمگون با استفاده از لایه ذاتی GaP
نفیسه
معماریان
میر کاظم
عمرانی
مهران
مین باشی
در این مقاله عملکرد سلولهای خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal میباشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدلهای مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیهسازی شد. تاثیر پارامترهای مختلف در ساختار سلول خورشیدی نظیر تابع کار اتصالات جلو و پشت، چگالی حامل لایههای امیتر و لایه سیلیکون آمورف نوع n، گاف انرژی لایه امیتر، ضخامت لایه بافر Gap، منحنی چگالی جریان – ولتاژ و بازده کوانتومی بررسی شد. بهینه مقدار کمیتهای برای بالاترین بازده سلول خورشیدی براساس نتایج مطالعات حاضر معرفی شده است. همچنین ساختار نوار انرژی در حالتهای مختلف رسم و مقایسه گردید. نتایج نشان میدهد که استفاده از یک لایه ذاتی گالیوم فسفات با گاف انرژی eV 26/2 و ضخامت 1 میکرومتر منجر به بیشترین بازدهی در حدود % 13/21 با Voc=1.52 V, Jsc=16.58 mA.cm-2 وFF= 84 % میشود.
سلول خورشیدی سیلیکونی
بهینه سازی گاف انرژی
لایه ذاتی
بازده کوانتمی
2017
11
22
103
112
https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13330_0b2a3e143c8ba096c6f3ec51e58f8052.pdf