شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی

نوع مقاله : مقاله پژوهشی کامل

نویسندگان

1 عضو هیأت علمی گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ایلام، ایلام، ایران

2 گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ایلام، ایلام، ایران

چکیده

در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (A) و ناخالصی(C) می‌پردازیم و نمای مقیاسی رشد  و نمای مقیاسی زبری  را به‌دست می‌آوریم و آن‌ها را با کلاس جهانی ارائه ‌شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (KPZ) مقایسه می‌کنیم. نتایج به‌دست‌آمده وجود یک احتمال بحرانی  را نشان می‌دهند، به‌گونه‌ای که به‌ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جهانی KPZ قرار می‌گیرد، درحالی‌که به‌ازای مقادیر بزرگتر از  مدل مطالعه شده در این مقاله از کلاس جهانی KPZ تبعیت نمی‌کند.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Simulation of a thin film growth in the presence of active and impurity particles

نویسندگان [English]

  • Hamidreza Emamipour 1
  • Mohamadjavad Niknejhad 2
چکیده [English]

In this paper, in the framework of ballistic deposition model we simulate a thin film growth in the presence of two kinds of particles: an impurity particle (C) and an active particle (A).We calculate the roughness exponent and growth exponent of our model and compare them with the results of Kardar-Parisi-Zhang (KPZ) universality class. We find a critical probability (pc) in a way that for values smaller than pc, our model belongs to KPZ universality class, while for values greater than pc it does not belong to KPZ universality class.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Thin film growth
  • Ballistic Deposition
  • Scaling exponents
  • Universality class

فایل ها

سابقه مقاله

  • تاریخ دریافت: 14 تیر 1393
  • تاریخ پذیرش: 14 تیر 1393

هم رسانی

ارجاع به این مقاله

آمار