[1] H. Sakaki, Scattering suppression and high-mobility effect of size quantized electrons in ultrafine semiconductor wire structures, Japanese Journal of Applied Physics 19 12 (1980) 735-738.
[2] ق. انصاری پور، ز. باقری، بررسی خواصِ گرمایی گرافِنِ چند بلوری، مجلة فیزیک کاربردی دانشگاه الزهرا(س)، سال 5 شمارة2 پائیز و زمستان 1394، 39-23.
[3] و. رفیعی، ا .رمضانی، ص. صلواتی فرد، مطالعه اثر برهمکنش‌های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر تابع دی الکتریک نانولایه‌های نیم‌رسانا، مجلة پژوهشسیستم‌هایبس‌ذره‌ای، دورة 4 شمارة7 تابستان 1393، 18-11.
[4 ] ق. انصاری پور، محاسبة پتانسیل سطحی و جریان زیرآستانه در ماسفت‌های کانال کوتاه، مجلة پژوهشسیستم‌هایبس‌ذره‌ای، دورة 1 شمارة 1 تابستان و پائیز 1390، 8-1.
[5] G. Ansaripour, The effect of hot phonons on the hole drift velocity in a p-type Si/SiGe modulation doped eterostructure, Thin Solid Films 517 21 (2009) 6105-6108.
[6] Y. Cui, Z.H. Zhong, D.L. Wang, W.U. Wang, C.M. Lieber, High performance silicon nanowire field effect transistors, Nano Letters 3 2 (2003) 149-152.
[7] G. Ansaripour, Mobility of holes in a Si/SiGe metal oxide semiconductor field effect transistor, Thin Solid Films 518 19 (2010) 5599-5603.
[8] S. Kaya, Y-P Zhao, J.R. Watling, A. Asenov, J.R. Barker, G. Ansaripour, G. Braithwaite, T.E. Whall, E.H.C. Parker, Indication of velocity overshoot in strained SiGe p-channel MOSFETS, Semiconductor Science Technology 15 6 (2000) 573.
[9] G. Ansaripour, G. Braithwaite, M. Myronov, O. A. Mironov, E.H.C. Parker, T.E. Whall, Energy loss rates of two-dimensional hole gases in inverted Si/SiGe heterostructures, Applied Physics Letters 76 9 (2000) 1140-1142.
[10] A. Konar, D. Jena, Tailoring the carrier mobility of semiconductor nanowires by remote dielectrics, Journal of Applied Physics 102 (2007) 123705.
[11] A. Konar, T. Fang, D. Jena, Dielectric-environment renormalization of many-body effects in a one- dimensional electron gas, Physical Review B 84 (2011) 085422.
[12] D. Jena, A. Konar, Enhancement of carrier mobility in semiconductor nanostructures by dielectric engineering, Physical Review Letters 98 (2007) 136805.
[13] F. Maldague, Many-body correction to the polarizability of the tow-dimensional electron gas, Surface Science 73 1 (1978) 296-302.
[14] G. Fishman, Mobility in a quasi-one-dimensional semiconductor: An analytical approach, Physical Review B 34, (1986) 2394.
[15] D.K. Ferry, S.M. Goodnick, Jonathan Bird, Transport in Nano Structures, Cambridge University Press NY, USA (2009).
)