نوع مقاله : مقاله پژوهشی کامل
نویسندگان
1 گروه الکترونیک، دانشکده برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
2 گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجائی، تهران
3 دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
چکیده
کلیدواژهها
موضوعات
عنوان مقاله [English]
نویسندگان [English]
Taking advantage of chemical potential (μ_c) one layer and multi layers graphene nano ribbons, we designed and analyzed performance of plasmonic switches at mid-IR wavelengths. By slight varying the chemical potential of graphene, significant resonance shifts (∆λ) and modulation depth (MD) achieved. Finite element method numerical simulation show that plasmonic switch made of hexagonal boron nitride (hBN)/Graphene suffering relatively large MD and wavelength shifts with N=6, and varying μ_c from 0.3eV- 0.4eV, 14 dB and 2.8 µm, respectively. The proposed structure could be useful for research in compact and largely tunable mid-infrared photonic devices to realize on-chip CMOS optoelectronic systems.
کلیدواژهها [English]