تحلیل تطبیقی مشخصه های ایستا و پویای لیزرهای نقطه کوانتومی و لیزرهای کوانتومی آبشاری با استفاده از الگوی معادلات آهنگ

نوع مقاله : مقاله پژوهشی کامل

نویسنده

گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر

چکیده

در این مقاله مشخصه های ایستا و پویای لیزرهای نقطه کوانتومی و لیزرهای کوانتومی آبشاری با استفاده از الگوی استاندارد معادلات آهنگ توصیف شده و نتایج بصورت تطبیقی تحلیل شده اند. با استفاده از الگوی ارائه شده، تاثیر طول عمر فوتون بر مشخصه های خروجی هر دو افزاره بررسی شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند لیزرهای کوانتومی آبشاری، به دلیل ماهیت فوق سریع گذارهای درون نواری که عمدتاً از نوع تابش فونون طولی بوده و دارای زمان گذار چند پیکو ثانیه ای است، برای لیزردهی به چگالی جریان آستانه بالاتری نسبت به لیزرهای نقطه کوانتومی نیازمند می باشند، زیرا طول عمر ذاتی حامل ها در لیزرهای نقطه کوانتومی به دلیل ماهیت فرایند بازترکیب نوار-به-نوار اوژه در حدود نانو ثانیه می باشد. علاوه بر این، ماهیت فوق سریع گذارهای فونونی در لیزرهای کوانتومی آبشاری باعث میرائی نوسانات در پاسخ گذرای چگالی فوتون ها و همچنین عدم ظهور رزونانس در پاسخ مدولاسیون آنها می گردد، و این برخلاف رفتار گذرا و پاسخ مدولاسیون لیزرهای نقطه کوانتومی می باشد. این مشخصه منحصربفرد در لیزرهای کوانتومی آبشاری باعث می شود این افزاره ها گزینه مطلوبی برای کاربردهای سرعت بالا محسوب شوند.

کلیدواژه‌ها

موضوعات

عنوان مقاله [English]

Comparative Analysis of the Static and Dynamic Performances of Quantum-Dot lasers and Quantum Cascade Lasers Using Rate Equations Model

نویسنده [English]

  • Hossein Reza Yousefvand
Electrical Deptment, Faculty of Engineering, Islamic Azad University, Islamshahr Branch, Tehran, Iran.
چکیده [English]

In this paper, the static and dynamic performances of quantum-dot (QD) semiconductor lasers and quantum cascade (QC) lasers are characterized and analyzed comparatively using the standard rate equations model. Using the presented model, the effect of photon lifetime on both the device’s output characteristics is investigated. Simulated results show that due to the ultrafast nature of intersubband transitions (ISTs) in QC lasers that dominantly induced by the longitudinal optical (LO) phonon emission with a picosecond time scale, the threshold current in QC lasers are much larger than is common for QD lasers, in which the intrinsic carrier lifetime is on the order of a few nanoseconds due to the nature of band-to-band Auger recombination process. Additionally, since the LO-phonon scattering process in QC lasers is an ultra-fast mechanism, transient oscillations of the photon density are overdamped, and no resonance appears in the frequency response. This is in contrast with the transient oscillations and frequency response of QD lasers. For comparison, this unique feature makes QC lasers ideally suited for high-speed operation.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Comparative analysis
  • Quantum-dot laser
  • Quantum cascade laser
  • Rate equation

مراجع

[1] M. Sugawara, Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots, Semiconductor and Semimetals, Academic, New York, (vol. 60, 1999).
 
[2] D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures, Wiley, New York, (1998).
 
[3] G.T. Liu, A. Stintz, H. Li, K.J. Malloy, L.F. Lester, Extremely low room-temperature threshold current density diode lasers using InAs dots in In0.15Ga0.85As quantum well, Electronics Letters 35 (1999) 1163-1165.
 
[4] H. Saito, K. Nishi, A. Kamei, S. Sugou, Low chirp observed in directly modulated quantum dot lasers, IEEE Photonics Technology Letters 12 (2000) 1298-1300.
 
 [5] م. صبائیان، س.آ. حسینی، م. شاهزاده، ا. کاظمی‌نژاد، بررسی اثر اندازه بر خواص گسیلندگی لیزرهای نقطۀ کوآنتومی مخروطی-شکل InGaAs/GaAs، مجلة پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای 4 (1393)، 67-55.
 
[5] M. Sabaeian, S.A. Hoseini, M. Shahzadeh, I. Kazeminezhad, Investigation of size effect on the emission properties of InAs/GaAs conical-shaped quantum dot lasers, Journal of Research on Many-body Systems 4 (2014) 55-67.
 
[6] J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho, Quantum Cascade Lasers, Science 264 (1994) 553-556.
 
[7] J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho, Intersubband Transition in Quantum wells, Physics and Device, Application II, Academic, New York, (2000).
 
[8] R. Paiella, Intersubband Transition in Quantum structures, McGraw-Hill, (2005).
 
[9] L. Drzewietzki, G.A.P. The, M. Gioannini, S. Breuer, I. Montrosset, W. Elsaber, M. Hopkinson, M. Krakowski, Theoretical and experimental investigations of temperature dependent continuous wave lasing characteristics and the switch-on dynamics of an InAs/InGaAs quantum-dot semiconductor laser, Optics Communications 283 (2010) 5092-5098.
 
[10] K. Ludge, M.J.P. Bormann, E. Malic, P. Hovel, M. Kuntz, D. Bimberg, A. Knorr, E. Scholl, Turn-on dynamics and modulation response in semiconductor quantum dot lasers, Physical Review B 78 (2008) 035316.
 
[11] C. Wang, B. Lingnau, K. Ludge, J. Even, F. Grillot, Enhanced dynamic performance of quantum dot semiconductor lasers operating on the excited state, IEEE Journal of Quantum Electronics 50 (2014) 723-731.
 
[12] A. Markus, M. Rossetti, V. Calligari, D. Chek-Al-Kar, J.X. Chen, A. Fiore, R. Scollo, Two-state switching and dynamics in quantum dot two-section lasers, Journal of Applied Physics 100 (2006) 113104.
 
[13] F. Grillot, K. Veselinov, M. Gioannini, I. Montrosset, J. Even, R. Piron, E. Homeyer, S. Loualiche, Spectral analysis of 1.55 μm InAs-InP(113)B quantum-dot lasers based on a multipopulation rate equations model, IEEE Journal of Quantum Electronics 45 (2009) 872-878.
 
[14] F. Grillot, C. Wang, N.A. Naderi, J. Even, Modulation properties of self-injected quantum-dot semiconductor diode lasers, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 19 (2013) 1900812-1900812.
 
[15] S. Breuer, M. Rossetti, L. Drzewietzki, P. Bardella, I. Montrosset, W. Elsaber, Joint experimental and theoretical investigations of two-state mode locking in a strongly chirped reverse-biased monolithic quantum dot laser, IEEE Journal of Quantum Electronics 47 (2011) 1320-1329.
 
[16] A.B. Krysa, D.G. Revin, J.P. Commin, C.N. Atkins, K. Kennedy, Y. Qiu, T. Walther, J.W. Cockburn, Room-temperature GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers grown by metal-organic vapor phase epitaxy, IEEE Photonics Technology Letters 23 (2011) 774-776.
 
[17] H. Page, C. Becker, A. Robertson, G. Glastre, V. Ortiz, C. Sirtori, 300 K operation of GaAs-based quantum-cascade laser at λ ~ 9 μm, Applied Physics Letters 78 (2001) 3529-3531.
 
[18] H.R. Yousefvand, Modeling of mid-infrared quantum cascade lasers: the role of temperature and operating field strength on the laser performance, Optics Communications 395 (2017) 61-71.
 
[19] A. Hamadou, J.L. Thobel, S. Lamari, Modelling of temperature effects on the characteristics of mid-infrared quantum cascade lasers, Optics Communications 281 (2008) 5385-5388.
 
[20] H.R. Yousefvand, A versatile physics-based circuit model for mid-infrared quantum cascade lasers Journal of Lightwave Technology 34 (2016) 1031-1037.
 
[21] C. Gmachl, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho, Recent progress in quantum cascade lasers and applications, Reports on Progress in Physics 64 (2001) 1533-1601.
 
[22] ی. یکتای کیا، ا. رجایی، ز. دانش، اثر تونل زنی تزریقی بر پاسخ مدولاسیون لیزرهای نقطة کوآنتومی، مجلة پژوهش فیزیک ایران 13 (1392)، 429-421.
 
[23] H.R. Yousefvand, V. Ahmadi, Enhanced performance of quantum cascade Raman laser, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 69 (2015) 243-248.
[24] R. Paiella, R. Martini, F. Capasso, C. Gmachl, H.Y Hwang, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho, E.A. Whittaker, H.C Liu, High-frequency modulation without the relaxation oscillation resonance in quantum cascade lasers, Applied Physics Letters 79 (2001) 2526-2528.
پژوهش سیستم های بس ذره ای
دوره 8، شماره 17
شهریور 1397
صفحه 191-203

فایل ها

سابقه مقاله

  • تاریخ دریافت: 10 فروردین 1396
  • تاریخ بازنگری: 19 فروردین 1397
  • تاریخ پذیرش: 17 اردیبهشت 1397

هم رسانی

ارجاع به این مقاله

آمار